武汉理工大学安琴友获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉武汉理工大学申请的专利一种富含碳-硫异质界面的CuS/C复合正极材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119581513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411631481.6，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种富含碳-硫异质界面的CuS/C复合正极材料及其制备方法与应用是由安琴友;苏钦;王卫潇;谌佳骏;麦立强设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种富含碳-硫异质界面的CuS/C复合正极材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提出了富含碳‑硫异质界面的CuSC复合正极材料及其制备方法，通过在碳基底材料上锚定CuS纳米颗粒，成功构建了丰富的碳‑硫C‑S异质界面。平面外的碳‑硫键有效激活了Cu‑S四面体结构，同时降低了CuS中二硫键S‑S的形成能垒，从而显著提升了Cu2S与CuS在充放电过程中的可逆相变能力。本发明提供的复合正极材料有效缓解了因体积膨胀导致的铜离子溶解问题，从而显著提升了材料的循环稳定性和电化学性能，实现了镁离子高效传输，为开发具有快速离子动力学和长循环寿命的转换型正极材料提供了新方向。
本发明授权一种富含碳-硫异质界面的CuS/C复合正极材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种富含碳-硫异质界面的CuSC复合正极材料，其特征在于，所述复合正极材料包括碳基底材料，以及分布在碳基底材料表面的CuS纳米颗粒，CuS纳米颗粒与碳基底紧密接触，并在CuS纳米颗粒与碳基底接触的界面形成含有碳-硫键的异质界面；所述CuSC复合正极材料的制备方法，包括如下步骤： S1、将铜盐与三羟甲基氨基甲烷分别加入含有碳基底材料的溶液中，充分搅拌后得到混合溶液A； S2、将氨水溶液加入到混合溶液A中，充分搅拌后得到混合溶液B； S3、将NaOH溶液加入到混合溶液B中，充分搅拌后得到混合溶液C； S4、将硫脲溶液加入到混合溶液C中，充分搅拌后得到混合溶液D； S5、将混合溶液D静置后，倒出上层清液，再将水合肼溶液加入到混合溶液D中，充分搅拌后得到混合溶液E； S6、将混合溶液E进行水浴加热，然后对其沉淀物用去离子水和乙醇交替洗涤多次，真空干燥，得到一种富含碳-硫异质界面的CuSC复合正极材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉理工大学，其通讯地址为：430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励