武汉华星光电半导体显示技术有限公司龚吉祥获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584641B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411878010.5，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权阵列基板和显示面板是由龚吉祥设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括像素区以及位于像素区一侧的绑定区，像素区内设置有多个子像素，至少一子像素包括硅半导体晶体管以及氧化物晶体管，绑定区设置有多个绑定端子以及与绑定端子连接的信号走线，与部分绑定端子连接的信号走线位于硅半导体晶体管的栅极所在的第一导电层，与另一部分所绑定端子连接的信号走线位于氧化物晶体管的栅极所在的第二导电层，氧化物晶体管的有源部位于第一导电层和第二导电层之间；如此，通过采用硅半导体晶体管的栅极和氧化物晶体管的栅极所在的导电层形成绑定区的信号走线，便于压缩布线空间，改善绑定区布线空间受限的问题。
本发明授权阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括像素区以及位于所述像素区一侧的绑定区，所述像素区内设置有多个子像素，至少一所述子像素包括硅半导体晶体管以及氧化物晶体管，所述绑定区设置有多个绑定端子以及与所述绑定端子连接的信号走线； 其中，与部分所述绑定端子连接的信号走线位于所述硅半导体晶体管的栅极所在的第一导电层，与另一部分所述绑定端子连接的信号走线位于所述氧化物晶体管的栅极所在的第二导电层，所述氧化物晶体管的有源部位于所述第一导电层和所述第二导电层之间；所述绑定端子包括在第一方向上间隔排布的多个第一绑定端子以及位于所述第一绑定端子远离所述像素区的第二绑定端子，所述信号走线包括与所述第一绑定端子连接的第一信号走线以及位于相邻的两条所述第一信号走线之间的第二信号走线，相邻的所述第一信号走线和所述第二信号走线位于不同层，所述第二绑定端子与所述第二信号走线连接，所述第一方向垂直于所述像素区和所述绑定区的排布方向。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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