杭州富芯半导体有限公司王成获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利加热机台上晶圆传送装置的定位方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650493B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411805290.7，技术领域涉及：H01L21/68；该发明授权加热机台上晶圆传送装置的定位方法是由王成设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本加热机台上晶圆传送装置的定位方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种加热机台上晶圆传送装置的定位方法，基于热氧退火处理的温度与生长的氧化物层厚度之间为线性关系，通过将晶圆承载台的承载面的加热温度调整为沿径向方向以递增或递减的方式设置，当晶圆在晶圆承载台上位置出现偏移时，生长的氧化物层厚度在晶圆上也会产生整体偏移，此时通过对氧化物层的厚度进行过晶圆圆心的第一方向进行多点位线性量测，从中确定出最值点位，并对最值点位两侧的所有点位进行线性拟合，得到两条线性曲线相交点的横坐标值作为晶圆传送装置调整的补偿值。该定位方法无需拆卸机台部件，同时还可以较为精准的计算出晶圆传送装置的补偿值，操作简单，减少晶圆传送装置的定位调整次数，且定位结果精准。
本发明授权加热机台上晶圆传送装置的定位方法在权利要求书中公布了：1.一种加热机台上晶圆传送装置的定位方法，其特征在于，所述加热机台包括晶圆承载台，所述晶圆承载台至少用于对其上承载的晶圆进行加热；其中，所述晶圆承载台的承载面包括依次同心嵌套设置的至少三个热区域；所述定位方法包括以下步骤： S1、晶圆传送装置将晶圆传送至所述晶圆承载台上； S2、对所述晶圆进行退火处理，以在所述晶圆表面生长氧化物层；其中，退火处理过程中所有所述热区域的退火温度沿所述晶圆承载台径向方向以递增或递减的方式设置； S3、沿经过所述晶圆圆心的第一方向对所述氧化物层的厚度进行多点位线性量测，得到点位位置与氧化物层厚度的坐标关系； S4、从该坐标关系中确定出氧化物层厚度的最值点位，接着将该最值点位两侧的点位分别进行线性拟合得到两条线性曲线，最后计算该两条线性曲线交点的横坐标值，该横坐标值为所述晶圆传送装置沿所述第一方向进行调整的补偿值； S5，基于所述补偿值对所述晶圆传送装置进行调整。
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