浙江大学林湖获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种毫米波雷达芯片的片上天线结构及其调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119651146B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411777506.3，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种毫米波雷达芯片的片上天线结构及其调节方法是由林湖;章国锋;孔庆宇;陈力军设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种毫米波雷达芯片的片上天线结构及其调节方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种毫米波雷达芯片的片上天线结构及其调节方法，属于片上天线技术领域。所述片上天线结构包括内置气压腔体、金属容腔管道、低熔点金属和第一引线，所述内置气压腔体与金属容腔管道一端相互连通，金属容腔管道方向水平，另一端形成外部气压调整出口，低熔点金属位于内置气压腔体与金属容腔管道内部，形成金属天线，低熔点金属连接所述第一引线，进而连接毫米波雷达芯片的射频单元。通过本发明方案，在芯片制备过程中即可对片上天线的形状进行调整，满足个性化射频参数的同时，无需多次进行芯片流片，大幅降低了芯片定制化的成本，提升毫米波雷达片上天线定制化的效率与效果。
本发明授权一种毫米波雷达芯片的片上天线结构及其调节方法在权利要求书中公布了：1.一种毫米波雷达芯片的片上天线结构，其特征在于，包括内置气压腔体、金属容腔管道、低熔点金属和第一引线； 所述内置气压腔体与金属容腔管道一端相互连通，金属容腔管道方向水平，另一端形成外部气压调整出口，外部气压调整出口在天线调节完成前与外部大气连通； 所述低熔点金属位于内置气压腔体与金属容腔管道内部，形成金属天线；内置气压腔体在远离金属容腔管道的一端留有空腔，金属容腔管道在外部气压调整出口处的一端也留有空腔，出口处的空腔在天线调节完成前与外部大气连通； 所述毫米波雷达芯片包括射频单元，在内置气压腔体内的低熔点金属连接所述第一引线，第一引线用于通过锡球连接毫米波雷达芯片的射频单元； 所述低熔点金属的熔点低于锡球的熔点。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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