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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种BCD工艺器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653851B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411871325.7，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权一种BCD工艺器件及制备方法是由向凡;张欢;杨丰;王媛;陶梦玲;江洁设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种BCD工艺器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于BCD工艺、分立器件领域，涉及一种BCD工艺器件及制备方法，包括：N+衬底、外延层NEPI‑1以及外延层NEPI‑2；NEPI‑1和NEPI‑2连接处设有PBL区，NEPI‑2中PBL区右侧设有DPWELL区；NEPI‑2中DPWELL区左侧设有LDMOS的NDRIFT区和PWELL‑1区；NEPI‑2中DPWELL区右侧设有SGT‑VDMOS的SGT深槽和PWELL‑2区；NDRIFT区设有N+区；PWELL‑1区设有N+区和P+区；DPWELL区设有P+区，PWELL‑2区设有N+区和P+区；PWELL‑1区和DPWELL区上方设有栅极，PWELL‑2区上方设有金属层；本发明在同一套工艺中同时集成SGT‑VDMOS和VDMOS，并通过制备PBL区和DPWELL区来隔离SGT‑VDMOS和LDMOS，使得集成后的BCD工艺器件同时具备LDMOS器件栅、源、漏极位于芯片表面易于集成的优势和SGT‑VDMOS器件的高压低阻大电流优势。

本发明授权一种BCD工艺器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种BCD工艺器件，其特征在于，包括：N+衬底、位于N+衬底上方的外延层NEPI-1以及位于外延层NEPI-1上方的外延层NEPI-2； 外延层NEPI-1和外延层NEPI-2左侧连接处设有PBL区；外延层NEPI-2中PBL区右侧设有DPWELL区；外延层NEPI-2中DPWELL区左侧设有LDMOS的NDRIFT区和PWELL-1区；外延层NEPI-2中DPWELL区的右侧设有SGT-VDMOS的SGT深槽和PWELL-2区； NDRIFT区中设有N+区，PWELL-1区中设有N+区和P+区，DPWELL区中设有P+区，PWELL-2区中从上到下依次设有N+区和P+区；PWELL-1区和DPWELL区上方设有BCD工艺器件的栅极，PWELL-2区上方设有金属层； 其中，N+衬底为BCD工艺器件的漏极，NDRIFT区中的N+区为BCD工艺器件的源极，NDRIFT表示漂移区，PWELL-1表示第一P阱，PWELL-2表示第二P阱，DPWELL表示深P阱，PBL表示磷埋层，SGT表示分裂栅场效应晶体管，N+、P+分别表示高掺杂的N型、P型区域，LDMOS为横向双扩散金属氧化物半导体，VDMOS为垂直双扩散金属氧化物半导体。

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