云南大学杨杰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉云南大学申请的专利一种集成半导体纳米线光电器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653905B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411777324.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种集成半导体纳米线光电器件的制备方法是由杨杰;吕云健;严迪;李汉野;陈曦;温馨;王茺;林峰;王荣飞设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种集成半导体纳米线光电器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种集成半导体纳米线光电器件的制备方法，属于光电子技术领域。本发明利用聚焦离子束‑扫描电子束FIB‑SEM双束电镜的机械手钨针提取分散在金字塔硅片上的不同材料种类半导体纳米线，分别将其转移到同一个叉指电极上，并通过FIB沉积导电材料固定纳米线，构成集成多种半导体纳米线的光电探测器，不仅扩宽了器件的探测波段，同时还能保持各自纳米线的优点。因此，金字塔硅片分散衬底和FIB‑SEM双束电镜的使用，为集成不同材料纳米线宽光谱高性能光电探测器的制备提供了一个全新的解决方案。
本发明授权一种集成半导体纳米线光电器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成半导体纳米线光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 1使用FIB-SEM双束电镜的化学气相沉积技术将分散有半导体纳米线的金字塔硅片上的半导体纳米线一端与钨针焊接起来，然后将半导体纳米线提取； 2通过化学气相沉积技术将半导体纳米线的另一端与叉指电极焊接； 3使用镓离子束流将钨针与半导体纳米线的一端连接处切断，并在半导体纳米线切断处沉积导电材料，将半导体纳米线与叉指电极焊接，完成半导体纳米线的转移和固定； 4使用FIB-SEM双束电镜的钨针重复步骤1-3将其他半导体纳米线转移和固定在同一个叉指电极上，得到集成半导体纳米线光电器件； 所述集成半导体纳米线光电器件上集成的半导体纳米线为ZnO纳米线、Ga2O3纳米线、SnO2纳米线、WO3纳米线、TiO2纳米线、Si纳米线、Ge纳米线、InP纳米线、MoS2纳米线、CdS纳米线、GaAs纳米线、GeSn纳米线、GaSb纳米线、InSb纳米线、InAs纳米线、InGaAs纳米线中的两种以上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人云南大学，其通讯地址为：650500 云南省昆明市呈贡区大学城东外环南路；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励