北京超弦存储器研究院艾学正获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119677089B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311228372.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器是由艾学正;王祥升;王桂磊;桂文华;赵超设计研发完成，并于2023-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器。该半导体结构包括下组导电层和位于下组导电层之上的上组导电层，两组导电层具有相同的层数，每个导电层具有公共连接区以及位于公共连接区至少一侧的存储单元区；多个通孔，其设置在公共连接区中且沿着公共连接区的延伸方向间隔排列，通孔贯穿多个导电层，通孔的个数等于下组导电层的层数；多个导电柱，各导电柱一一对应设置在各通孔内，每个导电柱包括由绝缘段分隔的下导电段和上导电段，各下导电段与下组导电层一一对应电连接，且各上导电段与上组导电层一一对应电连接。本申请实现了共用位线或共用字线可以同时连接到位于存储单元阵列下方和上方的器件。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 下组导电层，其位于所述衬底之上且包括垂直间隔堆叠的多个导电层； 上组导电层，其位于所述下组导电层之上且包括垂直间隔堆叠的多个导电层，所述上组导电层和所述下组导电层的层数相同，每个导电层具有公共连接区以及位于所述公共连接区至少一侧的存储单元区； 多个通孔，其设置在所述公共连接区中且沿着所述公共连接区的延伸方向间隔排列，所述通孔贯穿所述上组导电层和所述下组导电层，所述通孔的个数等于所述下组导电层的层数； 多个导电柱，各所述导电柱一一对应设置在各所述通孔内，每个导电柱包括由绝缘段分隔的下导电段和上导电段，各所述下导电段与所述下组导电层中的各所述导电层一一对应电连接，且各所述上导电段与所述上组导电层中的各所述导电层一一对应电连接。
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