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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种半导体器件的表面研磨方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119694886B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411730775.4，技术领域涉及：H01L21/3105；该发明授权一种半导体器件的表面研磨方法是由陈玉宝;刘起;张士林;佘桃慈设计研发完成，并于2024-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件的表面研磨方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体器件的表面研磨方法，包括以下步骤：获取半导体器件表面结构层的第一厚度；根据第一厚度计算得到需要去除的氧化物层的第二厚度；设置需要保留的剩余氧化物层的目标厚度；利用目标厚度和第二厚度计算得到第三厚度；在表面结构层上沉积形成第三厚度的氧化物层；去除第二厚度的氧化物层。通过预先计算得到要沉积的氧化物层的第三厚度，能够保证对半导体器件的平坦化效果，通过去除较小数值的第二厚度的氧化物层，能够减小研磨量，避免产能浪费，提高生产效率，第三厚度能够随第一厚度的改变相应变化，使本方法适用于多种规格的产品，提高了本方法的适应性，具有极大的产品推广价值。

本发明授权一种半导体器件的表面研磨方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的表面研磨方法，用于对半导体器件的表面进行平坦化，所述半导体器件的表面具有图形化的表面结构层，其特征在于，包括以下步骤： 获取所述表面结构层的厚度并记为第一厚度； 根据所述第一厚度计算得到需要去除的氧化物层的厚度并记为第二厚度； 设置平坦化后所述表面结构层上剩余氧化物层的厚度并记为目标厚度； 根据所述目标厚度和所述第二厚度，计算得到第三厚度； 于所述表面结构层上形成第三厚度的氧化物层； 去除所述第二厚度的氧化物层得到具有所述目标厚度的剩余氧化物层，以对所述半导体器件的表面进行平坦化； 其中，根据所述第一厚度计算得到需要研磨去除的厚度并记为第二厚度，包括以下步骤： 设定所述第二厚度与所述半导体器件的表面透光率之间具有指数关系，并将所述指数关系记为h2=k1*a^1-S，h2为所述第二厚度，a为底数参数，所述底数参数a满足0.8＜a＜1，k1为第一系数，S为所述表面透光率； 基于所述表面结构层的图形结构，计算得到所述半导体器件的表面透光率S；步骤包括：在所述半导体器件的俯视图中，获取所述表面结构层的覆盖面积s1和所述氧化物层的覆盖面积s2；计算得到所述表面透光率S=1-s1s2； 利用所述第一厚度计算得到所述第一系数k1；所述第一系数k1的计算公式为k1=h1+1*q，h1为所述第一厚度，单位为kÅ，q为预设的第二系数，所述第二系数q满足1.5≤q≤1.7； 将所述表面透光率S和所述第一系数k1代入所述指数关系的表达式，以得到所述第二厚度h2。

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