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龙图腾网获悉安徽思睿辰新材料有限公司申请的专利AMB陶瓷覆铜板制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119697905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510035976.0，技术领域涉及：H05K3/38；该发明授权AMB陶瓷覆铜板制作方法是由杨晓战设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本AMB陶瓷覆铜板制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AMB陶瓷覆铜板制作方法，涉及电子材料制造领域，具体制备步骤包括步骤1、材料准备：以添加有稀土元素铈的氮化铝陶瓷作为基础陶瓷层材料；以锆粉和氮化钛粉为原料制作复合界面材料；以铜、钴和镓为原料制作金属活化层材料；步骤2、陶瓷基层预处理；步骤3、复合界面涂覆；步骤4、金属活化层沉积；步骤5、铜层贴合；步骤6、后处理。本发明所述的一种AMB陶瓷覆铜板制作方法，通过引入新型陶瓷材料、复合界面材料、金属活化层材料及独特工艺，显著增强铜与陶瓷结合性能，降低工艺温度需求，提升产品综合质量与生产效率，为电子材料领域提供创新解决方案。

本发明授权AMB陶瓷覆铜板制作方法在权利要求书中公布了：1.一种AMB陶瓷覆铜板制作方法，其特征在于，具体步骤如下： 步骤1、材料准备：以添加有稀土元素铈的氮化铝陶瓷作为基础陶瓷层材料；以锆粉和氮化钛粉为原料制作复合界面材料；以铜、钴和镓为原料制作金属活化层材料； 步骤2、陶瓷基层预处理：用等离子体清洗含铈氮化铝陶瓷片10-15分钟，去除杂质、有机物与氧化层，随后在120℃-150℃真空干燥1-2h，保证陶瓷片洁净干燥，为后续工序提供良好基底； 步骤3、复合界面涂覆：以2-4Jcm²激光能量密度、10-15Hz脉冲频率，在合适的温度下，用脉冲激光沉积技术在陶瓷片表面涂覆复合界面材料薄膜20-30分钟； 步骤4、金属活化层沉积：采用离子束辅助沉积，50-80keV离子束能量、10-15μAcm²束流密度及0.05-0.2μmmin沉积速率，在复合界面层沉积金属活化层； 步骤5、铜层贴合：将硼处理无氧铜片置于沉积活化层陶瓷片上，在1×10⁻5-1×10⁻6Pa超高真空下450℃-550℃热压结合40-70分钟； 步骤6、后处理：热压后陶瓷覆铜板先350℃-400℃保温1-1.5h，再升温至450℃-500℃保温1.5-2h，最后缓冷至室温进行梯度退火，之后用磷酸与硫酸3:1混合液、2-3V电压电化学抛光铜层3-5分钟，形成超光滑表面。

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