深圳清华大学研究院;深圳清研电子科技有限公司刘冬获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳清华大学研究院;深圳清研电子科技有限公司申请的专利键合剂及其制备方法、电子基材的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119708500B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510060158.6，技术领域涉及：C08G77/42；该发明授权键合剂及其制备方法、电子基材的制备方法是由刘冬;王臣;罗旭芳;李宜轩;袁美蓉;刘双双设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本键合剂及其制备方法、电子基材的制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种键合剂及其制备方法、电子基材的制备方法。所述键合剂的制备方法包括将沸石咪唑酯骨架材料与改性聚二甲基硅氧烷混合，加入催化剂，在惰性气氛下进行反应，得到表面接枝改性聚二甲基硅氧烷的沸石咪唑酯骨架材料。本申请提供的键合剂能够解决传统覆铜板铜箔和绝缘基板结合力不足的现状，有效提升铜箔的抗剥离强度，为高性能覆铜板在高频高速电子电路等领域的应用提供坚实保障。
本发明授权键合剂及其制备方法、电子基材的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种键合剂的制备方法，其特征在于，包括： 将沸石咪唑酯骨架材料与改性聚二甲基硅氧烷混合，加入催化剂，在惰性气氛下进行反应，得到表面接枝改性聚二甲基硅氧烷的沸石咪唑酯骨架材料； 所述改性聚二甲基硅氧烷为链段末端修饰有官能团的聚二甲基硅氧烷，所述官能团为巯基、氨基、氨丙基、乙烯基、羟基、羟甲基或缩水甘油醚中的至少一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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