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龙图腾网获悉广东电网有限责任公司珠海供电局;西安交通大学申请的专利低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727674B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411802592.9，技术领域涉及：H03K17/042；该发明授权低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路是由程旭;张帆;陈勇;郑宇泽;陈建福;宋旭晖;高志华;张晓璐;何建宗;牛宇坤;曹安瑛;李振聪;裴星宇;杨锐雄;李建标;吴宏远;赵晓燕;刘尧;廖雁群设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及电子电路技术领域，提供一种低关断损耗的SiCMOSFET栅极驱动电路，包括数字微控制器、推挽电路、控制电路、电荷处理电路，数字微控制器的信号输出端引出并联两路，一路接推挽电路，另一路接控制电路和电荷处理电路；数字微控制器选择输出高电平、低电平信号；推挽电路根据高低电平信号选项提供开通偏置电压VCC和关断偏置电压VEE；控制电路在接收到低电平信号时提供辅助关断电压Vneg，让电荷处理电路从SiCMOSFET栅极抽取一定量电荷。本公开实施例利用控制电路向电荷处理电路提供负压使其抽取一定量栅极电荷，快速降低漏极沟道电流，以降低关断低热损耗，加快的关断速度，提高安全性。

本发明授权低关断损耗的SiC MOSFET栅极驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种低关断损耗的SiCMOSFET栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动电路包括数字微控制器、推挽电路、控制电路、电荷处理电路； 所述数字微控制器的信号输出端引出并联的第一支路和第二支路，所述第一支路包括所述推挽电路，所述第二支路包括串联的所述控制电路和电荷处理电路，所述第一支路和所述第二支路的汇合点连接SiCMOSFET栅极； 所述数字微控制器选择性地输出高电平信号和低电平信号； 所述推挽电路在接收到高电平信号时为所述SiCMOSFET栅极提供正压作为开通偏置电压VCC，所述推挽电路在接收到低电平信号时为所述SiCMOSFET栅极提供负压作为关断偏置电压VEE； 所述控制电路包括逻辑处理单元和电压输出端，所述电荷处理电路包括电荷抽放单元和第一二极管，所述控制电路的电压输出端连接电荷抽放单元再串联所述第一二极管的阴极，所述第一二极管的阳极连接所述SiCMOSFET栅极，所述控制电路在接收到低电平信号时提供辅助关断电压Vneg以使所述第一二极管导通，并使所述电荷抽放单元从所述SiCMOSFET栅极抽取定量的电荷； 所述辅助关断电压Vneg小于所述关断偏置电压VEE。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广东电网有限责任公司珠海供电局;西安交通大学，其通讯地址为：519000 广东省珠海市香洲区红山路300号1楼-18楼、20楼、21楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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