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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利准二维蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730570B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411883139.5，技术领域涉及：H10K50/115；该发明授权准二维蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法及其制备方法是由于军胜;田镇南;钟建;陈学杭设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本准二维蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种准二维蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法及其制备方法，利用A6BfPBr作添加剂得到的准二维蓝光钙钛矿发光二极管，抑制了阳离子扩散，同时最大限度地提高钝化效果，创建更坚固的八面体网络；另外，含有较长有机链氨盐以及大的基团分离距离，为钝化氨与钙钛矿缺陷位点配对创造了机会，从而提高了材料的光谱稳定性；通过在钙钛矿前驱体中加入不同比例的Rb，因为Rb的离子半径小于铯，因此，将Rb+加入三维CsPbBr3钙钛矿有望产生合金化的钙钛矿RbxCs1‑xPbBr3，由于八面体滴定，这种钙钛矿具有更大的带隙，RbxCs1‑xPbBr3钙钛矿是通过溶液法制造的，随着Rb+含量的增加，RbxCs1‑xPbBr3薄膜的光带隙从2.31eV增加到2.60eV。

本发明授权准二维蓝光钙钛矿发光二极管及其制备方法及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种准二维蓝光钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于，包括： S1、将印有ITO阳极的基板放入无水乙醇和去离子水的混合溶液中，并用超声机超声处理20分钟，随后用氮气将其表面液体吹干； S2、将吹干的印有ITO阳极的基板放入紫外清洗剂中，用紫外臭氧清洁15分钟； S3、在干净的印有ITO阳极的基板上用均胶机旋涂PEDOT:PSS薄膜，并用热台150℃退火15分钟； S4、将经步骤S2处理后的产品放入充满氮气的手套箱中旋涂PVK，并用热台160℃退火30分钟； S5、待经S3的处理冷却后，以4000rpm的转速在PVK薄膜上旋涂钙钛矿前驱体溶液，并在100℃下加热10分钟； S6、将经S5处理后的产品放入蒸镀设备中抽真空，当气压小于4×10-4pa时蒸镀TPBi、LiF和Al薄膜，厚度分别为80nm、1nm和100nm， 其中，钙钛矿前驱体溶液的配置包括以下步骤： S51、准备一个4ml的玻璃瓶，称取73.4mgPbBr2放入； S52、继续称取25.5mgCsBr放入玻璃瓶； S53、继续称取13.23mgRbBr放入玻璃瓶； S54、继续称取7.54mgN-氨基己基苯并[e]-邻苯二甲酰亚氨氢溴化物放入玻璃瓶； S55、继续在玻璃瓶中加入1ml的DMSO； S56、最后，向玻璃瓶中加入搅拌子并放置在搅拌台上搅拌12h； 其中，所述N-氨基己基苯并[e]-邻苯二甲酰亚氨氢溴化物的化学式为C18H21BrN2O2，化学结构式为： 。

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