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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411947332.0，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法是由王翼;赵志飞;李赟;熊瑞;曹越;孔龙设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法，选用一组晶向、偏角、表面粗糙度和电阻率相同的衬底作标定片，在其表面刻蚀出圆形、三角形、四边形或多边形作为三角形缺陷成核点；采用三角形缺陷密度、微坑缺陷密度均小于产品合格线一半的工艺在标定片上进行外延生长并对图形位置的三角形缺陷尺寸和台阶流向垂直方向的长度进行测量，将其作为标准值；生产过程中三角形缺陷或微坑缺陷数量出现持续波动时，保持工艺条件不变，采用标定片进行外延生长并对其表面三角形缺陷尺寸进行测量，对比三角形缺陷尺寸和标准值的差异，根据结果对生长温度进行修正，该方法简单易行，且和主流SiC外延工艺相兼容，适于工业化生产，具有极大的推广价值。

本发明授权一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法在权利要求书中公布了：1.一种降低碳化硅外延材料缺陷数量的方法，其特征在于，步骤如下： 步骤一，制备标定片，用于监测三角形尺寸的变化； 步骤二，调试外延生长工艺温度，找到外延材料缺陷数量最少的生长工艺温度窗口； 步骤三，采用步骤一中制备的标定片和步骤二中调试过的工艺条件进行外延材料的生长，对外延材料标定点位的三角形缺陷尺寸进行测量，将其作为标准值进行记录； 步骤四，设备更换反应室石墨耗材后或生产过程中外延材料三角形缺陷数量连续3片超过50或微坑缺陷数量连续3片超过3000时，采用新的标定片和当前工艺条件进行外延材料生长，对标定点位的三角形缺陷尺寸进行测量并记录其数值；标定片的生长温度应和在产外延材料生长温度一致，其它工艺条件和外延层厚度应和步骤三中标定片一致； 步骤五，将步骤四中标定片三角形缺陷尺寸和步骤三中标准值进行比对，若步骤四中标定片三角形缺陷尺寸比标准值大，则调低生长温度；若步骤四中标定片三角形缺陷尺寸比标准值小，则调高生长温度； 步骤六，采用步骤五中标定过的生长温度进行外延材料的生产。

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