中国科学院微电子研究所闫治国获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767713B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411683748.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件是由闫治国;魏珂;张昇;张睿哲;麻转利;郭嘉奇;刘新宇设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，半导体器件的制备方法包括提供衬底；在衬底一侧形成沟道层；在沟道层背离衬底的一侧形成势垒层；在势垒层背离沟道层的一侧表面形成整面设置的功能层，功能层包括镂空部和氮化钛图案部；在功能层背离势垒层的一侧表面形成整面设置的源漏材料层组，源漏材料层组包括与功能层接触的钛材料层；对功能层、源漏材料层组进行图案化处理和退火处理，以形成源漏功能部，源漏功能部包括间隔设置的源部和漏部。本申请提供的半导体器件的制备方法可提升欧姆接触的性能。
本发明授权半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底一侧形成沟道层； 在所述沟道层背离所述衬底的一侧形成势垒层； 在所述势垒层背离所述沟道层的一侧表面形成整面设置的功能层，所述功能层包括镂空部和氮化钛图案部； 在所述功能层背离所述势垒层的一侧表面形成整面设置的源漏材料层组，所述源漏材料层组包括与所述功能层接触的钛材料层； 对所述功能层、所述源漏材料层组进行图案化处理和退火处理，以形成源漏功能部，所述源漏功能部包括间隔设置的源部和漏部。
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