北京中科新微特科技开发股份有限公司龚雪芹获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科新微特科技开发股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119767749B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510237779.7，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件及其制备方法是由龚雪芹;张彦飞;刘梦新;温霄霞;李寿全设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、外延层、栅极以及栅极绝缘层。外延层设置于衬底的一侧，外延层包括沿第一方向相对设置的两个掺杂区，第一方向与半导体器件的厚度方向相交。栅极绝缘层位于外延层和栅极之间，栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部和第二栅极绝缘部，第一栅极绝缘部在衬底的正投影位于两个掺杂区在衬底的正投影之间，第二栅极绝缘部至少位于掺杂区和栅极之间，且第二栅极绝缘部位于第一栅极绝缘部的周侧。其中，第一栅极绝缘部靠近掺杂区的厚度小于第一栅极绝缘部远离掺杂区的厚度，第一栅极绝缘部的最小厚度大于或等于第二栅极绝缘部的厚度。本申请能够提高半导体器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 漏极； 衬底，设置于所述漏极的一侧； 外延层，设置于所述衬底背离所述漏极的一侧，所述外延层包括沿第一方向相对设置的两个掺杂区，所述第一方向与所述半导体器件的厚度方向相交； 栅极； 栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述外延层和所述栅极之间，所述栅极绝缘层包括第一栅极绝缘部和第二栅极绝缘部，所述第一栅极绝缘部在所述衬底的正投影位于两个所述掺杂区在所述衬底的正投影之间，所述第二栅极绝缘部至少位于所述掺杂区和所述栅极之间，且所述第二栅极绝缘部位于所述第一栅极绝缘部的周侧； 其中，掺杂区在衬底的正投影和第一栅极绝缘部在衬底的正投影间隔设置，所述第一栅极绝缘部靠近所述掺杂区的厚度小于所述第一栅极绝缘部远离所述掺杂区的厚度，所述第一栅极绝缘部的最小厚度大于或等于所述第二栅极绝缘部的厚度。
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