西安微电子技术研究所张万垚获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786349B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411840416.4，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法是由张万垚;杨尚洁;郝军;田一竺;刘如征;刘存生设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法，属于半导体芯片制造领域，该方法首先在已制备好的金属与薄膜电阻互连的硅片上使用双氧水刻蚀掉大部分钨钛相当于主刻蚀；其中，薄膜电阻具备钨钛阻挡层；其次进行湿法有机清洗，去除剩余钨钛表面的反应副产物；最后使用双氧水去除剩余钨钛相当于过刻蚀。与现有技术相比，本发明提出的方法可操作性强，常规的湿法酸槽即可满足工艺要求；成本较低，使用的化学腐蚀液以及特气均为半导体集成电路生产线常见物料；应用前景广阔，在模拟集成电路制造过程中即可完成对该铬硅系薄膜电阻金属互连层的腐蚀。
本发明授权一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法在权利要求书中公布了：1.一种解决片上薄膜电阻钨钛腐蚀残留的方法，其特征在于，包括： 在制备好的金属与薄膜电阻互连的硅片上采用双氧水进行第一次刻蚀；其中，薄膜电阻具备钨钛阻挡层；所述第一次刻蚀刻蚀掉部分钨钛阻挡层；采用有机清洗溶剂对第一次刻蚀的硅片进行清洗，去除钨钛阻挡层表面的反应副产物，得到预处理后的硅片； 使用双氧水对预处理后的硅片进行第二次刻蚀，实现硅片上薄膜电阻钨钛残留去除。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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