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龙图腾网获悉西安奕斯伟材料科技股份有限公司申请的专利一种硅片以及改善硅片翘曲度的方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119786356B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411741227.1，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种硅片以及改善硅片翘曲度的方法、装置、设备及介质是由薛浩波;袁力军设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片以及改善硅片翘曲度的方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本公开提供了一种硅片以及改善硅片翘曲度的方法、装置、设备及介质，所述方法包括：获取硅片的翘曲状态以及翘曲度的度量值；当所述硅片的翘曲状态为凸状翘曲时，根据所述翘曲度的度量值以及目标厚度确定第一厚度以及第一薄膜沉积工艺次数，并按照所述第一厚度以及所述第一薄膜沉积工艺次数执行薄膜沉积工艺形成符合所述目标厚度的背封薄膜；当所述硅片的翘曲状态为凹状翘曲时，根据所述翘曲度的度量值以及所述目标厚度确定第二厚度以及第二薄膜沉积工艺次数，并按照所述第二厚度以及所述第二薄膜沉积工艺次数执行薄膜沉积工艺形成符合所述目标厚度的背封薄膜。

本发明授权一种硅片以及改善硅片翘曲度的方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种改善硅片翘曲度的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取硅片的翘曲状态以及翘曲度的度量值； 当所述硅片的翘曲状态为凸状翘曲时，根据所述翘曲度的度量值以及目标厚度确定第一厚度以及第一薄膜沉积工艺次数，并按照所述第一厚度以及所述第一薄膜沉积工艺次数执行薄膜沉积工艺形成符合所述目标厚度的背封薄膜；所述凸状翘曲表示硅片正面的中心部分高于边缘部分，第一厚度的背封薄膜层对所述硅片的背封面产生拉伸应力；其中，所述第一厚度的区间范围为500埃至1500埃； 当所述硅片的翘曲状态为凹状翘曲时，根据所述翘曲度的度量值以及所述目标厚度确定第二厚度以及第二薄膜沉积工艺次数，并按照所述第二厚度以及所述第二薄膜沉积工艺次数执行薄膜沉积工艺形成符合所述目标厚度的背封薄膜，所述凹状翘曲表示硅片正面的中心部分低于边缘部分，所述第二厚度的背封薄膜层对所述硅片的背封面产生压缩应力；其中，所述第二厚度的区间范围为2000埃至2500埃； 所述根据所述翘曲度的度量值以及目标厚度确定第一厚度以及第一薄膜沉积工艺次数，包括： 根据所述目标厚度以及所述第一厚度的区间范围选取多个由第一厚度候选值与对应的第一薄膜沉积工艺次数组成的第一候选组； 针对每个第一候选组中的第一厚度候选值与对应的第一薄膜沉积工艺次数候选值，获取每个第一候选组对应的翘曲度消除度量值； 根据所述翘曲度的度量值以及每个候选组对应的翘曲度消除度量值，从所有第一候选组中选取差值的绝对值最小的第一候选组； 将所述差值的绝对值最小的第一候选组中的第一厚度候选值与对应的第一薄膜沉积工艺次数候选值确定为所述第一厚度以及第一薄膜沉积工艺次数； 根据所述目标厚度以及所述第二厚度的区间范围选取多个由第二厚度候选值与对应的第二薄膜沉积工艺次数组成的第二候选组； 针对每个第二候选组中的第二厚度候选值与对应的第二薄膜沉积工艺次数候选值，获取每个第二候选组对应的翘曲度消除度量值； 根据所述翘曲度的度量值以及每个第二候选组对应的翘曲度消除度量值，从所有第二候选组中选取差值的绝对值最小的第二候选组； 将所述差值的绝对值最小的第二候选组中的第二厚度候选值与对应的第二薄膜沉积工艺次数候选值确定为所述第二厚度以及第二薄膜沉积工艺次数。

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