上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)王兵兵获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微波技术研究所(中国电子科技集团公司第五十研究所)申请的专利一种GaAs基光电导太赫兹探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815961B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411704054.6，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种GaAs基光电导太赫兹探测器及其制备方法是由王兵兵;刘文辉;吴翼飞;王洋刚;郑露露;葛馨;陈宇石;崔星煜;马红波;李影;董祚汝;陈栋;汪泽文;梁芳;张传胜;王晓东;周宏设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaAs基光电导太赫兹探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种GaAs基光电导太赫兹探测器及其制备方法；包括在砷化镓掺S衬底底部离子注入S形成负电极接触层；在表面通过光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀形成光刻对准标记后，PECVD生长氮化硅离子注入保护层；再光刻、等离子体去胶、离子注入S形成正电极接触层；经快速热退火、湿法腐蚀后在正电极接触层上沉积氮化硅钝化层，再经光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀，湿法腐蚀、蒸镀，电极剥离、退火形成正电极。本发明直接采用砷化镓掺S衬底作为太赫兹辐射的吸收层，相对于外延生长的砷化镓掺S吸收层以及离子注入形成的砷化镓掺S吸收层，具有晶格质量高，厚度大，缺陷密度小等优点，同时能够达到完全吸收太赫兹辐射的效果。
本发明授权一种GaAs基光电导太赫兹探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaAs基光电导太赫兹探测器，其特征在于，其制备方法包括如下步骤： S1、在砷化镓掺S衬底的下表面，采用离子注入工艺，形成负电极接触层； S2、在所述砷化镓掺S衬底的上表面通过光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀形成光刻对准标记； S3、在所述砷化镓掺S衬底的上表面通过等离子体增强化学气相沉积工艺生长氮化硅离子注入保护层； S4、在所述氮化硅离子注入保护层上通过光刻、等离子体去胶、离子注入形成正电极接触层；快速热退火、湿法腐蚀； S5、在所述正电极接触层上通过等离子体增强化学气相沉积氮化硅钝化层，再经光刻、等离子体去胶、反应离子刻蚀出正电极孔，湿法腐蚀、电子束蒸发法蒸镀电极，电极剥离、电极退火，形成正电极； S6、通过划片、贴片、金丝球焊，完成正负电极引线。
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