华中科技大学;湖北光谷实验室高亮获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学;湖北光谷实验室申请的专利一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510031569.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法是由高亮;王一川;唐江;陈龙;刘婧;张建兵设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法，所述量子点探测器的制备方法，包括：在所述衬底上依次制备底电极、电子阻挡层、P型空穴传输层、吸光层、牺牲层；在所述牺牲层的一侧表面制备亲水层；所述亲水层材料为WOx；在所述亲水层一侧表面制备n型电子传输层，在所述n型电子传输层远离所述亲水层的一侧表面制备顶电极。本申请的方案在牺牲层C60表面上设置一层亲水层，水源沉积在亲水层上后，会大大减小接触角根据实验结果，水的接触角为6°，这会提高n型电子传输层质量，整体提升探测器的探测性能，此外，氧化钨界面层的引入以及电子传输层质量的提高可以一定程度上抑制卤素离子I‑迁移，提升器件稳定性。
本发明授权一种量子点探测器以及量子点探测器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种量子点探测器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上依次制备底电极、电子阻挡层、P型空穴传输层、吸光层、牺牲层； 在所述牺牲层远离所述衬底的一侧表面制备亲水层；所述亲水层材料为WOx； 在所述亲水层远离所述牺牲层的一侧表面制备n型电子传输层，所述亲水层用于提升所述n型电子传输层的均匀性和致密性； 在所述n型电子传输层远离所述亲水层的一侧表面制备顶电极； 所述在所述亲水层远离所述牺牲层的一侧表面制备n型电子传输层，包括： 在所述亲水层上循环交替沉积H2O和Sn源，从而制备所述n型电子传输层； 所述底电极和所述顶电极的材料为ITO； 所述电子阻挡层的材料为NiOX； 所述P型空穴传输层的材料为PbS-EDT； 所述吸光层的材料为PbS-IBr； 所述牺牲层的材料为C60； WOx薄膜的厚度为1-1.5nm。
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