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龙图腾网获悉山东圣泉新能源科技有限公司申请的专利多孔碳材料、硅碳负极材料及制备方法和二次电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119833635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510029257.8，技术领域涉及：H01M4/62；该发明授权多孔碳材料、硅碳负极材料及制备方法和二次电池是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本多孔碳材料、硅碳负极材料及制备方法和二次电池在说明书摘要公布了：本申请涉及一种多孔碳材料、硅碳负极材料及制备方法和二次电池，所述多孔碳材料的X射线衍射图谱中的R值为1.4～5，R值为002晶面的衍射峰强度与背景强度的比值；所述多孔碳材料的拉曼光谱图中，表征缺陷诱导石墨结构的D1峰强度与表征石墨晶格的G峰强度之比ID1IG为0.201～2.859，表征无定形碳sp3杂化碳原子的D3峰强度与表征石墨晶格的G峰强度之比ID3IG为0.336～1.403。本申请通过控制含氧官能团的数量，优化了锂离子在多孔碳材料中的扩散通道，使得锂离子能够更快速地到达硅颗粒表面进行反应，从而提高电池的倍率性能。

本发明授权多孔碳材料、硅碳负极材料及制备方法和二次电池在权利要求书中公布了：1.一种多孔碳材料，其中，所述多孔碳材料的X射线衍射图谱中的R值为2.021~2.387，R值为002晶面的衍射峰强度与背景强度的比值，在X射线衍射图谱中以002晶面衍射峰两侧峰谷做公切线构成背景线，绘制平行于所述背景线的002晶面衍射峰切线确定切点，切点强度即为所述衍射峰强度，背景线上位于切点对应衍射角2θ处的强度即为所述背景强度；所述多孔碳材料的拉曼光谱图中，表征缺陷诱导石墨结构的D1峰强度与表征石墨晶格的G峰强度之比ID1IG为0.773~1.638，表征无定形碳sp3杂化碳原子的D3峰强度与表征石墨晶格的G峰强度之比ID3IG为0.691~0.899； 所述多孔碳材料的制备方法，包括： 将多孔模板用金属盐溶液进行浸泡进行预处理； 将预处理的多孔模板置于反应器中加热至碳沉积温度； 在碳沉积温度下引入含碳气体进行气相沉积； 去除多孔模板获得所述多孔碳材料； 所述的制备方法，包括如下c1~c5特征： c1所述金属盐选自氯化铁、氯化钼、氯化镧、氯化镍、氯化钴、氯化钙中之一种或两种以上； c2所述多孔模板选自沸石、泡沫铜、二氧化硅、氧化镁、氢氧化镁或氧化钙； c3所述含碳气体为碳前体气体与氩气的混合气体； c4所述碳沉积温度为600~1000℃； c5所述气相沉积的时间为1~3h。

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