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龙图腾网获悉深圳市思坦科技有限公司申请的专利电压源电路和Micro-LED驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119847273B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510009247.8，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权电压源电路和Micro-LED驱动电路是由朱凯嵩;张珂;张皖冬设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本电压源电路和Micro-LED驱动电路在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电压源电路和Micro‑LED驱动电路，电压源电路包括：功率管的源端为电压源电路的输入端，连接电源；功率管的漏端为电压源电路的输出端，输出输出电压；功率管的栅端与放大器的输出端相连，电阻反馈网络连接在功率管的漏端与放大器的输入端之间，放大器、功率管、电阻反馈网络连接成负反馈回路，放大器也连接电源，由电源供电，全阻断前馈式频率补偿模块连接于功率管的漏端与放大器之间。本申请电压源电路，不仅实现了传统米勒补偿的效果，而且还可以实现全阻断前馈通路，具备更好的稳定性。应用于Micro‑LED驱动电路，可以使得Micro‑LED驱动电路的抗干扰能力得到提升，工作更稳定，色彩均匀度更好。

本发明授权电压源电路和Micro-LED驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种电压源电路，其特征在于，所述电压源电路包括：放大器、功率管、电阻反馈网络、全阻断前馈式频率补偿模块；所述功率管的源端为所述电压源电路的输入端，连接电源；所述功率管的漏端为所述电压源电路的输出端，输出输出电压；所述功率管的栅端与所述放大器的输出端相连，所述电阻反馈网络连接在所述功率管的漏端与所述放大器的输入端之间，所述放大器、所述功率管、所述电阻反馈网络连接成负反馈回路，所述放大器也连接所述电源，由所述电源供电，所述全阻断前馈式频率补偿模块连接于所述功率管的漏端与所述放大器之间； 所述全阻断前馈式频率补偿模块包括第九PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、电阻单元、第二百电容，所述第九PMOS管的源端与电源相连，所述第九PMOS管的栅端与第二百P型偏置电压相连，所述第九PMOS管的漏端与所述第六NMOS管的漏端相连，所述第六NMOS管的栅端与所述功率管的漏端相连，所述第六NMOS管的源端与所述第七NMOS管的漏端相连，所述第七NMOS管的栅端与第二百N型偏置电压相连，所述第七NMOS管的源端与地相连，所述第六NMOS管的源端还与所述电阻单元的一端相连，所述电阻单元的另一端与所述第二百电容的一端相连，所述第二百电容的另一端与所述放大器相连； 所述放大器包括两级放大结构，其中第一级放大结构包括第三PMOS管、第四PMOS管、第二百NMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第二电阻、第三电阻，所述第三PMOS管的源端、所述第四PMOS管的源端共同构成放大器的偏置电流输入端，接收偏置电流，所述第三PMOS管的栅端为所述放大器的第一输入端，与所述电阻反馈网络相连，所述第四PMOS管的栅端为所述放大器的第二输入端，接收一参考电压，所述第四PMOS管的漏端与所述第二百NMOS管的漏端、所述第二百NMOS管的栅端、所述第一NMOS管的栅端、所述第二NMOS管的栅端、所述第三NMOS管的栅端均相连，且接收同一偏置电压，所述第二百NMOS管的源端与所述第二NMOS管的漏端相连，所述第二NMOS管的源端经由所述第二电阻与地相连，所述第三NMOS管的源端经由所述第三电阻与地相连，所述第三NMOS管的漏端与所述第一NMOS管的源端相连，所述第一NMOS管的漏端与所述第四PMOS管的漏端相连，所述第四PMOS管的漏端为放大器的第一级输出结点，所述第一NMOS管的源端与所述第二百电容的另一端相连。

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