长江存储科技有限责任公司赵祥辉获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855154B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311345432.1，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备是由赵祥辉;曾最新;张元露;章诗;张川设计研发完成，并于2023-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备；其中，堆叠结构包括层叠且交替设置的多个绝缘层以及多个栅极功能层，堆叠结构还包括阵列区以及位于阵列区至少一侧的台阶区，堆叠结构在台阶区具有与多个栅极功能层分别对应设置的多个台阶；栅极隔离结构贯穿堆叠结构，并包括延伸至台阶区的第一子部；多个导电柱设置于台阶区，并贯穿堆叠结构；其中，各栅极功能层包括至少设置于阵列区的栅极部、设置于台阶处的第一连接部、以及连接于第一子部侧壁的第二连接部，第二连接部连接于第一连接部和栅极部之间，第一连接部与相对应的导电柱相连接；本申请可以简化工艺难度，并减小导电柱和栅极部之间的连接难度，提高半导体器件的良品率。
本发明授权半导体器件及其制作方法、存储系统、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 堆叠结构，所述堆叠结构包括层叠且交替设置的多个绝缘层以及多个栅极功能层，所述堆叠结构还包括阵列区以及位于所述阵列区至少一侧的台阶区，所述堆叠结构在所述台阶区具有与多个所述栅极功能层分别对应设置的多个台阶； 栅极隔离结构，贯穿所述堆叠结构，并包括延伸至所述台阶区的第一子部； 多个导电柱，设置于所述台阶区，并贯穿所述堆叠结构； 其中，各所述栅极功能层包括至少设置于所述阵列区的栅极部、设置于所述台阶处的第一连接部、以及连接于所述第一子部侧壁的第二连接部，所述第二连接部连接于所述第一连接部和所述栅极部之间，所述第一连接部与相对应的所述导电柱相连接。
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