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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利一种微发光二极管及其显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119855327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411990911.3，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权一种微发光二极管及其显示装置是由王雄彬;詹伯祺;李佳恩设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微发光二极管及其显示装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微发光二极管及其显示装置，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有暴露部分，暴露部分贯穿第二类型半导体层、有源层，露出第一类型半导体层，半导体层序列的背侧包括有暴露部分内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的台面侧壁，半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极，还包括覆盖在半导体层序列上方和或侧壁的钝化层，钝化层具有在第一台面上用于设置第一金属电极的第一开口，第一开口包括靠近台面侧壁的第一角度和远离台面侧壁的第二角度，第二角度小于第一角度，用以改善第一金属电极的连续性。

本发明授权一种微发光二极管及其显示装置在权利要求书中公布了：1.一种微发光二极管，具有半导体层序列，半导体层序列包括背侧和正侧，从正侧开始依次包括第一类型半导体层、第二类型半导体层，有源层位于两者之间，半导体层序列的背侧具有暴露部分，暴露部分贯穿第二类型半导体层、有源层，至少露出第一类型半导体层，半导体层序列的背侧包括有暴露部分内的第一台面、第二类型半导体层上的第二台面和位于两者之间的台面侧壁，半导体层序列的背侧设置有与第一类型半导体层电连接的第一金属电极以及与第二类型半导体层电连接的第二金属电极，还包括覆盖在半导体层序列上方和或侧壁的钝化层，其特征在于，钝化层部分设置在第一台面上，钝化层具有用于设置第一金属电极的第一开口，第一开口相对于水平面包括靠近台面侧壁的第一角度α1和远离台面侧壁的第二角度α2，第二角度α2小于第一角度α1，第一角度α1为第二角度α2的1.05倍至5倍。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门三安光电有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道841-899号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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