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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利Si基超表面结构中波红外多光谱滤光片阵列的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510093169.4，技术领域涉及：G02B27/00；该发明授权Si基超表面结构中波红外多光谱滤光片阵列的设计方法是由李子园;杨毅涛;陈文静;杨雨馨;金伟其设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本Si基超表面结构中波红外多光谱滤光片阵列的设计方法在说明书摘要公布了：Si基超表面结构中波红外多光谱滤光片阵列的设计方法，属于微纳光学、多光谱成像技术领域。本发明实现方法为：中波红外多光谱滤光片阵列由结构参数不同的Si基超表面结构组成；不同Si基超表面结构单元的几何结构尺寸参数不同；采用时域有限差分算法对Si基超表面结构的光学响应进行仿真分析，在中波红外波段内对不同的超表面阵列结构参数进行扫描，根据透射率公式求解得到Si基超表面结构透射谱。本发明通过在光电探测器上集成不同结构参数的超表面阵列，能够实现中波红外可调控的窄带全透射，实现用于中波红外可调谐滤波的透射型超表面多光谱滤光片阵列。本发明设计的透射型超表面多光谱滤光片阵列还具有结构简单、轻便的优点。

本发明授权Si基超表面结构中波红外多光谱滤光片阵列的设计方法在权利要求书中公布了：1.Si基超表面结构中波红外多光谱滤光片阵列的设计方法，其特征在于：包括如下步骤， 步骤一、中波红外多光谱滤光片阵列由结构参数不同的Si基超表面结构组成；不同Si基超表面结构单元的几何结构尺寸参数不同；所述几何结构尺寸参数包括硅圆柱的高度H、直径D和间距P； 步骤二、采用时域有限差分算法对Si基超表面结构的光学响应进行仿真分析，在中波红外波段内对不同的超表面阵列结构参数进行扫描，根据公式1求解得到Si基超表面结构透射谱图； 其中Pf为不同频率下的坡印廷矢量；dS为积分面元；sourcepowerf为激励光源的功率； 按照需求，从透射谱图中选取，确定对应的H、D和P，得到阵列，所述需求包括透射率和半峰全宽FWHM； 构建光电探测器，并构建光电探测器与Si超表面结构集成的单元结构，单元结构包括3层结构，自上而下为Si超表面结构、SU-8过渡层、InSb中波红外光电探测器； 将不同结构参数的Si超表面结构集成于InSb光电探测器上，以实现多光谱中红外探测。

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