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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利集成电路制造工艺真空输运仿真方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119885797B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411688687.2，技术领域涉及：G06F30/25；该发明授权集成电路制造工艺真空输运仿真方法、装置、设备及介质是由邵花;傅一豪;韦亚一;陈睿设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路制造工艺真空输运仿真方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开一种集成电路制造工艺真空输运仿真方法、装置、设备及介质，涉及集成电路制造工艺仿真领域，所述集成电路制造工艺真空输运仿真方法，将输运粒子的初始位置、仿真粒子的运动方向向量、仿真区域的子节点区域作为有限状态机的输入，通过结合二维线段树的方法，对输运粒子的运动进行仿真，将现有技术中逐网格移动输运粒子，进而分析输运粒子运动的过程，转换为通过二维线段树对仿真区域进行划分，同时结合有限状态机更新输运粒子的状态的过程，有利于降低仿真过程中的时间复杂度，提高仿真的运行效率。

本发明授权集成电路制造工艺真空输运仿真方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种集成电路制造工艺真空输运仿真方法，其特征在于，包括： 采用二维线段树的方法，将衬底对应的仿真区域作为根节点进行区域划分，获得所述根节点的多个子节点对应的子节点区域； 将各个所述子节点区域、输运粒子的初始位置以及输运粒子的运动方向向量输入有限状态机，以通过所述有限状态机将所述输运粒子的初始位置和所述运动方向向量作为输运粒子的第一状态，并根据所述第一状态，对所述输运粒子的运动进行仿真，确定所述输运粒子的运动位置以及所述运动位置所处的子节点区域； 在所述输运粒子的运动位置所处的子节点区域的粒子稠密度为真空或稠密的情况下，根据所述输运粒子的运动位置和输运粒子的吸附信息，确定所述输运粒子的最终状态； 在所述输运粒子的运动位置所处的子节点区域的粒子稠密度为稀疏的情况下，采用所述二维线段树的方法，将所述子节点区域作为父节点进行区域划分，获得所述父节点的多个子节点对应的子节点区域；根据所述输运粒子的运动位置对所述第一状态进行更新；返回根据所述第一状态，对所述输运粒子的运动进行仿真，确定所述输运粒子的运动位置以及所述运动位置所处的子节点区域。

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