长江存储科技有限责任公司谌文杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119893985B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311401090.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统是由谌文杰;孙超;江宁;刘子琛设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统。半导体结构包括半导体层，半导体层包括沿第二方向延伸且沿第一方向和第三方向阵列分布的多个半导体柱，其中第一方向、第二方向和第三方向两两相交。制造半导体结构的方法包括：在半导体柱的侧壁上形成沿第三方向延伸的第一栅极结构；在半导体柱的侧壁上形成沿第一方向延伸的第二栅极结构，其中第二栅极结构和第一栅极结构沿第二方向间隔设置；以及形成与半导体柱连接且沿第一方向延伸的位线。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，半导体层包括沿第二方向延伸且沿第一方向和第三方向阵列分布的多个半导体柱，其中所述第一方向、所述第二方向和所述第三方向两两相交，所述方法包括： 在所述半导体柱的侧壁上形成沿所述第三方向延伸的第一栅极结构； 在所述半导体柱的侧壁上形成沿所述第一方向延伸的第二栅极结构，其中所述第二栅极结构和所述第一栅极结构沿所述第二方向间隔设置；以及 形成与所述半导体柱连接且沿所述第一方向延伸的位线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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