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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种离子溅射栅网电极绝缘性能与材料特性的模拟评估装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119902038B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510110004.3，技术领域涉及：G01R31/12；该发明授权一种离子溅射栅网电极绝缘性能与材料特性的模拟评估装置和方法是由张冠军;刘昊琰;刘玥琳;刘文瑄;周晟;齐昌春;李文睿;孙安邦设计研发完成，并于2025-01-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种离子溅射栅网电极绝缘性能与材料特性的模拟评估装置和方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种离子溅射栅网电极绝缘性能与材料特性的模拟评估装置和方法，属于离子推力器技术领域。该装置设置有两个绝缘支架，两个绝缘支架分别用于安装模拟屏栅和模拟加速栅，模拟屏栅和模拟加速栅上设置有对应的孔洞，能够真实的模拟屏栅和加速栅。将该装置置于溅射腔室内，通过离子源对模拟屏栅和模拟加速栅进行轰击，进行溅射试验；对溅射后的模拟屏栅和模拟加速栅进行场致发射测试和击穿测试，进一步的能够研究模拟屏栅的绝缘性能，同时能够通过扫描电子显微镜和激光扫描共聚焦显微镜对模拟屏栅和模拟加速栅进行形貌特征分析。

本发明授权一种离子溅射栅网电极绝缘性能与材料特性的模拟评估装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种离子溅射栅网电极绝缘性能与材料特性的模拟评估装置，其特征在于，包括： 安装底板5； 绝缘支架1，设置有两个，两个绝缘支架1相对的固定设置在安装底板5上； 模拟屏栅2，固定安装在一个绝缘支架1上； 模拟加速栅3，固定安装在一个绝缘支架1上； 所述模拟屏栅2和所述模拟加速栅3同轴线设置； 所述模拟屏栅2上开设有若干个第一孔洞25，所述模拟加速栅3上开设有若干个第二孔洞35，第一孔洞25的直径大于第二孔洞35的直径，每一个第一孔洞25对应有一个同轴线的第二孔洞35； 通过该装置实现的模拟评估方法为包括以下步骤： 步骤1，将模拟屏栅2和模拟加速栅3分别固定在两个绝缘支架1上，获得模拟评估装置，将模拟评估装置放置在溅射腔室内，所述模拟屏栅2朝向离子源方向； 步骤2，启动离子源，调节离子种类和离子能量，设置束流密度和溅射时间，生成高能离子束，对模拟屏栅2进行轰击，部分高能离子束穿过第一孔洞25，轰击在模拟加速栅3的表面，完成离子剂量累积以模拟实际工况下的溅射影响； 步骤3，通过场致发射测试，测量模拟屏栅2和模拟加速栅3的场致发射电流，并计算场致增强因子； 步骤4，对场致发射后测试后的模拟屏栅2和模拟加速栅3施加直流电压，逐步升高电压以测量初次击穿电压，并通过重复升压放电评估击穿电压随放电次数变化的趋势，确定绝缘性能是否能够恢复至初始水平； 步骤5，使用扫描电子显微镜对模拟屏栅2和模拟加速栅3表面形貌和颗粒分布进行观察，记录不同材料在溅射后表面的微粒堆积和形貌变化特征，分析溅射对材料性能的影响； 步骤6，利用激光扫描共聚焦显微镜对模拟屏栅2和模拟加速栅3表面进行三维形貌扫描，测量场致发射测试和击穿后的表面粗糙度和微观缺陷特征。

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