北京超弦存储器研究院项金娟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311374681.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由项金娟;段新绿;焦正赢;王桂磊;赵超设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术；半导体器件的制造方法包括：在衬底上依次形成第一电极、绝缘层和第二电极的堆叠结构；在所述堆叠结构上形成沿着垂直于所述衬底方向延伸的孔洞，所述孔洞将至少部分所述第一电极和所述第二电极暴露；采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，所述半导体层为金属氧化物半导体层；所述半导体层分别与暴露的所述第一电极和所述第二电极接触；采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，包括：在腔体中通入氧化剂和前驱体，其中，所述氧化剂为气体或等离子体；其中，所述气体或等离子体的氧化性在所述半导体层厚度增加的过程中增强；降低半导体层氧化过程中对第一电极和第二电极的氧化。
本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 在衬底上依次形成第一电极、绝缘层和第二电极的堆叠结构； 在所述堆叠结构上形成沿着垂直于所述衬底方向延伸的孔洞，所述孔洞将至少部分所述第一电极和至少部分所述第二电极暴露； 采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，所述半导体层为金属氧化物半导体层；所述半导体层分别与暴露的所述第一电极和所述第二电极接触； 采用原子层沉积工艺，通过氧化剂在所述孔洞的内壁上生长半导体层，包括：在腔体中通入氧化剂和前驱体，其中，所述氧化剂为气体或等离子体； 其中，所述气体或等离子体的氧化性在所述半导体层厚度增加的过程中增强。
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