湖北九峰山实验室袁俊获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922973B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510091367.7，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法是由袁俊设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该复合芯片结构通过导电塞将以宽禁带半导体材料为主体的宽禁带半导体耐压单元与在传统半导体材料上制作的开关控制单元进行垂直集成，使得复合芯片结构既具有宽禁带半导体材料的耐压性能，又避免了宽禁带半导体材料开关控制器件制作时的各种问题，同时还避免了现有的集成技术中存在的异质材料界面缺陷和界面势垒的问题。该复合芯片结构具有更小的芯片面积和更优的电学性能。
本发明授权一种宽禁带半导体复合芯片结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体复合芯片结构，其特征在于，所述复合芯片结构的元胞结构由下至上包括衬底、漂移层、第一埋层和开关控制单元；所述漂移层中设置有岛状分布的第二埋层；所述第二埋层通过连接柱与所述第一埋层连接；所述第一埋层中设置有贯穿所述第一埋层且位于所述第二埋层上方的第一掺杂区；在所述第一埋层的上表面上需要与所述开关控制单元实现电连接的区域，沉积有第一欧姆接触金属层和第二欧姆接触金属层；所述第二欧姆接触金属层位于所述第一掺杂区的上表面；所述开关控制单元包括半导体材料层、位于所述半导体材料层上表面的第三欧姆接触金属层和第四欧姆接触金属层；所述半导体材料层中设置有多个至少贯穿所述半导体材料层的导电塞；所述第一欧姆接触金属层通过所述导电塞与所述第三欧姆接触金属层电连接；所述第二欧姆接触金属层通过所述导电塞与所述第四欧姆接触金属层电连接；所述衬底、所述漂移层、所述第一掺杂区、所述半导体材料层的掺杂类型为第一类型，所述第一埋层、所述第二埋层、所述连接柱的掺杂类型为第二类型。
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