上海华虹宏力半导体制造有限公司王磊获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利eFlash参数的修调方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943123B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510020323.5，技术领域涉及：G11C29/12；该发明授权eFlash参数的修调方法是由王磊设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本eFlash参数的修调方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种eFlash参数的修调方法，包括：S1：将修调的初始值的向量合集、内建自测试的高压开启模式的向量合集以及擦除和写操作模式的的向量合集集合在一起，以形成HEX格式的文件；S2：采用HEX格式的文件进行内建自测试的指令集传输；S3：开启内建自测试的高压，参数测试模块测试默认状态的模拟参数；S4：修正SRAM地址的修调值；S5：开启内建自测试的高压，参数测试模块进行SRAM地址对应的模拟参数的量测；S6：重复S4～S5，完成所有SRAM地址的模拟参数的量测，如果量测值和对应的修调值的差值在预设范围外，则对该地址的量测值进行擦除，并且将修调值写入至该地址。
本发明授权eFlash参数的修调方法在权利要求书中公布了：1.一种eFlash参数的修调方法，其特征在于，包括： 步骤S1：将修调的初始值的向量合集、内建自测试的高压开启模式的向量合集以及擦除和写操作模式的的向量合集集合在一起，以形成HEX格式的文件； 步骤S2：采用HEX格式的文件进行内建自测试的指令集传输，以实现修调的初始值设置、内建自测试的高压开启以及擦除和写操作； 步骤S3：开启内建自测试的高压，参数测试模块测试默认状态的模拟参数； 步骤S4：修正SRAM地址的修调值； 步骤S5：开启内建自测试的高压，所述参数测试模块进行SRAM地址对应的模拟参数的量测； 步骤S6：重复步骤S4~步骤S5，完成所有SRAM地址的模拟参数的量测，如果量测值和对应的修调值的差值在预设范围外，则对该地址的量测值进行擦除，并且将修调值写入至该地址，以修调该地址的模拟参数。
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