北京玄戒技术有限公司靖向萌获国家专利权
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龙图腾网获悉北京玄戒技术有限公司申请的专利封装结构、电子设备、芯片堆叠结构和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119943831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510099228.9，技术领域涉及：H01L23/552；该发明授权封装结构、电子设备、芯片堆叠结构和封装方法是由靖向萌;张晓东;刘海齐;黄勇刚;杨胜远;尹圣宝设计研发完成，并于2025-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构、电子设备、芯片堆叠结构和封装方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种封装结构、电子设备、芯片堆叠结构和封装方法，所述封装结构包括相互堆叠的第一芯片和第二芯片以及金属层，所述第二芯片与所述第一芯片的有源面相对设置，所述第一芯片内设置有第一元件；金属层设置在所述第一元件朝向所述第二芯片的一侧，所述金属层用于减小所述第二芯片的信号对所述第一元件产生的干扰，所述金属层所在区域的金属密度为20％～70％。本公开的封装结构，通过将金属层设置在第一元件朝向第二芯片的一侧，并将金属层所在区域的金属密度设为20％～70％，利用金属层减少第二芯片的信号对第一元件产生的干扰，从而可以提高第一元件的信号质量，提高封装结构的信号质量。
本发明授权封装结构、电子设备、芯片堆叠结构和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 相互堆叠的第一芯片和第二芯片，所述第二芯片与所述第一芯片的有源面相对设置，所述第一芯片内设置有第一元件； 金属层，设置在所述第一元件朝向所述第二芯片的一侧，所述金属层用于减小所述第二芯片的信号对所述第一元件产生的干扰， 所述金属层所在区域的金属密度为20％～70％； 所述第一芯片和所述第二芯片之间设有净空区，所述净空区在朝向所述第一元件方向上的正投影覆盖所述第一元件，所述第一芯片包括多个第一布线层，多个所述第一布线层沿所述芯片的厚度方向布置，多个所述第一布线层中，越靠近所述第二芯片的所述第一布线层的厚度越大，至少一个所述第一布线层为第一顶层，所述第一顶层在所述芯片的厚度方向上相对其余所述第一布线层更靠近所述第二芯片设置，所述第一元件至少部分设置在所述第一顶层。
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