上海华虹宏力半导体制造有限公司陈云骢获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利BCD器件结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510020353.6，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权BCD器件结构及其形成方法是由陈云骢;钱文生;刘冬华;胡君;段文婷设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本BCD器件结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种BCD器件结构及其形成方法，BCD器件结构中的衬底上形成有第一外延层和第二外延层，在第一外延层内形成第一隔离埋层，第一隔离埋层中的磷扩散开能增加N型区域的耗尽面积，N型区域和P型区域两侧均参与耗尽，第一隔离埋层与衬底之间形成缓变结，提高了第一隔离埋层与衬底之间击穿电压。第一外延层内形成第二隔离埋层，第二隔离埋层位于第一隔离埋层内，第二外延层内形成有深阱，在形成深阱时，第一隔离埋层扩散至第二外延层内，深阱通过第一隔离埋层与第二隔离埋层电连接构成隔离结构，由于在形成深阱时，第一隔离埋层扩散至第二外延层内，增强了深阱与第二隔离埋层之间的衔接，降低了深阱的工艺难度或者生产成本。
本发明授权BCD器件结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种BCD器件结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上形成有第一外延层和第二外延层； 第一隔离埋层，所述第一隔离埋层形成于所述第一外延层内并扩散至所述第二外延层内，所述第一隔离埋层与所述衬底之间形成有缓变结； 第二隔离埋层，所述第二隔离埋层位于所述第一外延层内且位于所述第一隔离埋层内； 深阱，所述深阱位于所述第二外延层内，所述深阱通过所述第一隔离埋层与所述第二隔离埋层电连接构成隔离结构。
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