上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司张健澄获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种光掩模修补方法及光掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119987128B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311507469.X，技术领域涉及：G03F1/72；该发明授权一种光掩模修补方法及光掩模是由张健澄;徐龙设计研发完成，并于2023-11-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光掩模修补方法及光掩模在说明书摘要公布了：本申请公开了一种光掩模修补方法及光掩模，属于半导体技术领域，该方法包括：确定光掩模背离保护膜的表面的待修补区域；待修补区域与光掩模内部遮光层的缺陷区域对应；在待修补区域沉积遮光膜，以遮挡从保护膜的表面射入遮光层的缺陷区域后穿透透明基板的光，得到修补后的光掩模。本申请通过直接在光掩模的背面沉积一层遮光膜，以遮挡从缺陷区域射出后穿透透明基板的光，可针对贴膜后的光掩模出现大黑区孔洞缺陷时，实现在不拆保护膜的情况下进行修补。该工艺步骤可适用于不同层光掩模，不同制程的光掩模，不同图形的光掩模上的特定缺陷，优化了光掩模修补流工艺流程，大量减少了返工工艺步骤，节省了出货时间，节省了保护膜消耗。
本发明授权一种光掩模修补方法及光掩模在权利要求书中公布了：1.一种光掩模修补方法，其特征在于，包括： 确定光掩模背离保护膜的表面的待修补区域；所述待修补区域与所述光掩模内部遮光层的缺陷区域对应； 在所述待修补区域沉积遮光膜，以遮挡从所述保护膜的表面射入所述遮光层的所述缺陷区域后穿透透明基板的光，得到修补后的所述光掩模。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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