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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120004211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411968952.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法是由李凤阳;张大成;刘鹏;于志恒;杨芳;高程武;麦倡源;周佳伟;华璇卿设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法，属于MEMS传感器与CMOS芯片制造领域。本发明为解决压阻芯片与CMOS电路单片集成过程中制造复杂度高、成本高的问题，主要采用标准CMOS工艺中的多种离子注入工艺的组合，并通过修改版图生成规则，精确生成压阻敏感单元的掩模版图案，从而实现压阻敏感单元的多种掺杂浓度分布设计。本方法能够制造出具有不同性能指标的单片集成CMOS电路的压阻芯片，适应多样化的应用需求，并且兼容于标准CMOS工艺，具有低研发成本、大规模生产的优势，广泛适用于商业CMOS代工厂的生产，可满足压阻芯片快速增长的市场需求。

本发明授权一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对不同离子注入工艺组合制造的压阻敏感单元进行性能仿真，分析电阻温度系数、灵敏度温度系数、灵敏度和噪声参数，选择满足应用需求的离子注入工艺组合； 2选择硅片作为衬底； 3在硅片表面生长氧化层二氧化硅，沉积氮化硅，并通过光刻和刻蚀形成沟槽，填充沟槽后进行平坦化处理，形成STI结构； 4在硅片表面生长一层牺牲氧化层二氧化硅，光刻后进行N阱注入、P阱注入和深N阱注入，形成N阱、P阱和深N阱；如果选择的离子注入工艺组合中包括N阱注入、P阱注入、深N阱注入的一种或多种，则被选择的离子注入工艺同时用于对形成压阻敏感单元的区域进行注入；全部完成后进行快速热退火； 5去除硅片表面的牺牲氧化层，生长栅氧化层并淀积多晶硅，并通过光刻和刻蚀形成多晶硅栅极；光刻后进行N型低压轻掺杂源漏注入、N型高压轻掺杂源漏注入、P型低压轻掺杂源漏注入、P型高压轻掺杂源漏注入，形成MOS器件的轻掺杂源漏区，以及压阻敏感单元与金属互连层连接用的轻掺杂连接区；如果选择的离子注入工艺组合中包括N型低压轻掺杂源漏注入、N型高压轻掺杂源漏注入、P型低压轻掺杂源漏注入、P型高压轻掺杂源漏注入的一种或多种，则被选择的离子注入工艺同时用于对形成压阻敏感单元的区域进行注入；全部完成后进行快速热退火； 6在硅片表面淀积形成复合介质层，刻蚀形成环绕多晶硅栅极的侧墙；光刻后通过N型源漏注入、P型源漏注入形成N型源漏、P型源漏、阱接触区以及重掺杂连接区；如果选择的离子注入工艺组合中包括N型源漏注入、P型源漏注入的一种或两种，则被选择的离子注入工艺同时用于对形成压阻敏感单元的区域进行注入；全部完成后进行快速热退火； 7进行光刻，通过高阻值多晶硅电阻注入，形成高阻抗的多晶硅电阻；进行光刻，通过静电放电注入，形成静电放电NMOS晶体管；如果选择的离子注入工艺组合中包括高阻值多晶硅电阻注入、静电放电注入的一种或两种，则被选择的离子注入工艺同时用于对形成压阻敏感单元的区域进行注入； 8在硅片表面淀积一层金属硅化物阻挡层，通过光刻及刻蚀，掩盖保护区域，再在硅片表面淀积一层金属钴，经过两次快速退火，在未被金属硅化物阻挡层保护的区域形成钴硅化物；在硅片表面淀积介质层和钝化层，进行平坦化处理，通过光刻和刻蚀形成通孔，并在通孔内填充金属钨并进行平坦化处理，再在硅片表面淀积金属互连层，进行光刻和刻蚀，再淀积介质层和钝化层，如此重复，形成多层金属互连层、介质层和钝化层，最终完成单片集成CMOS电路的压阻芯片的制造。

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