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无锡尚积半导体科技股份有限公司张笑语获国家专利权

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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利刻蚀去胶一体腔获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120015669B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510408065.8,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权刻蚀去胶一体腔是由张笑语;朱建雄;王兆丰;林恭博;王世宽设计研发完成,并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。

刻蚀去胶一体腔在说明书摘要公布了:本申请公开了一种刻蚀去胶一体腔,包括工作室、翻转机构、刻蚀机构和去胶机构,翻转机构可转动地悬设于工作室内,并将工作室的内腔分为刻蚀腔和去胶腔,刻蚀机构用于实现刻蚀腔内晶圆的刻蚀,去胶机构用于实现去胶腔内晶圆的去胶;翻转机构包括球形壳体、第一载台、第二载台、翻转驱动器和顶升机构,第一载台和第二载台对称设置在球形壳体两端,顶升机构能够配合晶圆上料设备为第一载台和第二载台传递晶圆,翻转驱动器用于驱使球形壳体旋转,以交换第一载台和第二载台的位置,晶圆能够在工作室内先后接受刻蚀、去胶处理;本申请通过将刻蚀和去胶功能集成在一个腔体内,减少了晶圆在不同设备间的转移次数和等待时间,提高了生产效率。

本发明授权刻蚀去胶一体腔在权利要求书中公布了:1.一种刻蚀去胶一体腔,其特征在于,包括: 工作室100,用于为晶圆处理提供空间; 翻转机构200,可转动地悬设于所述工作室100内,并将所述工作室100的内腔分为刻蚀腔101和去胶腔102: 刻蚀机构310,用于实现所述刻蚀腔101内晶圆的刻蚀; 去胶机构320,用于实现所述去胶腔102内晶圆的去胶; 其中,所述翻转机构200包括: 球形壳体210,所述球形壳体210的顶面和底面设置呈平面,连接所述顶面和所述底面的周面设置呈球面; 第一载台220,设于所述顶面; 第二载台230,设于所述底面,所述第一载台220和所述第二载台230对称设置,所述第一载台220和所述第二载台230中的一者处于所述刻蚀腔101内时,另一者处于所述去胶腔102内,所述第一载台220和所述第二载台230均采用静电吸盘; 翻转驱动器,用于驱使所述球形壳体210旋转,以交换所述第一载台220和所述第二载台230的位置; 顶升机构,设于所述球形壳体210内,所述顶升机构包括: 第一顶针241,所述第一载台220上设有第一穿孔,所述第一顶针241能够穿过所述第一穿孔; 第二顶针242,所述第二载台230上设有第二穿孔,所述第二顶针242能够穿过所述第二穿孔; 顶升驱动器,用于驱使所述第一顶针241靠近或远离所述第一穿孔、所述第二顶针242靠近或远离所述第二穿孔; 当所述第一载台220位于所述刻蚀腔101内时,所述顶升驱动器驱使所述第一顶针241上升,所述第一顶针241能够穿过所述第一穿孔、承接晶圆; 获得所述晶圆后,所述顶升驱动器驱使所述第一顶针241下降,以便于所述晶圆落到所述第一载台220上,所述第一载台220能够通过静电吸附的方式固定所述晶圆; 完成对所述晶圆的刻蚀后,所述翻转驱动器驱使所述球形壳体210旋转,使得所述第一载台220携所述晶圆进入所述去胶腔102,而所述第二载台230进入所述刻蚀腔101; 所述顶升驱动器驱使所述第二顶针242上升,所述第二顶针242能够穿过所述第二穿孔、承接晶圆; 与此同时,所述第一载台220上的晶圆能够在所述去胶腔102内接受去胶处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人无锡尚积半导体科技股份有限公司,其通讯地址为:214000 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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