上海新微半导体有限公司尚金铭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海新微半导体有限公司申请的专利GaAs基增强/耗尽型PHEMT结构、外延结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510210281.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权GaAs基增强/耗尽型PHEMT结构、外延结构及其制备方法是由尚金铭;王玮竹;赵旭熠设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本GaAs基增强/耗尽型PHEMT结构、外延结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种GaAs基增强耗尽型PHEMT结构、外延结构及其制备方法。通过在第二AlGaAs势垒层增强型势垒层与InGaP势垒层耗尽型势垒层之间设置由GaAs插入层及GaP插入层组成的外延插入层，进行第二AlGaAs势垒层生长后先依次生长GaAs插入层及GaP插入层，然后进行InGaP势垒层的生长，可有效避免As和P交换过程的影响产生的低带隙InGaAs或InGaAsP中间层，同时外延插入层还可降低甚至避免第二AlGaAs势垒层中As原子向InGaP势垒层中扩散，生成InGaAsP低带隙界面层的风险，达到优化第二AlGaAs势垒层及InGaP势垒层生长界面和势垒层生长质量的效果。
本发明授权GaAs基增强/耗尽型PHEMT结构、外延结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GaAs基增强耗尽型PHEMT外延结构，其特征在于，所述外延结构包括： 衬底；以及 位于所述衬底上且自下向上依次排布的缓冲层、第一AlGaAs势垒层、第一AlGaAs隔离层、InGaAs沟道层、第二AlGaAs隔离层、第二AlGaAs势垒层、外延插入层、InGaP势垒层及GaAs帽层； 其中，所述外延插入层自下向上依次包括GaAs插入层及GaP插入层； 所述缓冲层自下向上依次包括GaAs缓冲层及由AlGaAs层GaAs层构成的超晶格缓冲层。
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