华南师范大学霍能杰获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种具有多级存储和逻辑功能的铁电半浮栅晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050978B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510218312.8，技术领域涉及：H10D30/68；该发明授权一种具有多级存储和逻辑功能的铁电半浮栅晶体管及其制备方法是由霍能杰;宋延泽;杨玉珏设计研发完成，并于2025-02-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有多级存储和逻辑功能的铁电半浮栅晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有多级存储和逻辑功能的铁电半浮栅晶体管及其制备方法，包括；间隔设置于SiO2Si衬底上的第一石墨烯层和第二石墨烯层；α‑In2Se3薄层设置于第一石墨烯层上；h‑BN薄层设置于α‑In2Se3薄层和第二石墨烯层上；WSe2薄层设置于h‑BN薄层上；源极和漏极分别设置于WSe2薄层上的两端，栅极设置于第二石墨烯层的表面上；其通过机械剥离工艺制备获得，该晶体管表现出优良的存储和光电特性：具有高编程擦除比和良好的耐用性，104秒以上的保持性。通过双栅调制，实现了具有至少7种可控编程状态的多级存储功能，并能在10mV的超低偏压下执行三种数字逻辑门操作。
本发明授权一种具有多级存储和逻辑功能的铁电半浮栅晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有多级存储和逻辑功能的铁电半浮栅晶体管，其特征在于，包括SiO2Si衬底；设置于SiO2层上的第一石墨烯层和第二石墨烯层，第一石墨烯层与第二石墨烯层之间具有间隙；α-In2Se3薄层设置于第一石墨烯层上不与第二石墨烯层接触；h-BN薄层设置于α-In2Se3薄层和第二石墨烯层上；WSe2薄层设置于h-BN薄层上，WSe2薄层的边界不超出h-BN薄层的边界范围； 源极和漏极分别设置于WSe2薄层上的两端，栅极设置于第二石墨烯层的表面上。
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