天津大学纪德洋获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种基于有机-无机异质介电层的感存算一体晶体管及其制备方法与在可编程显示驱动中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120051091B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510193736.3，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于有机-无机异质介电层的感存算一体晶体管及其制备方法与在可编程显示驱动中的应用是由纪德洋;蒋婷;胡文平设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于有机-无机异质介电层的感存算一体晶体管及其制备方法与在可编程显示驱动中的应用在说明书摘要公布了：本发明提出了一种基于有机‑无机异质介电层的感存算一体晶体管及其制备方法与在可编程显示驱动中的应用，属于有机场效应晶体管技术领域。该基于有机‑无机异质介电层的感存算一体晶体管，从下至上依次包括基底、介电层、有机小分子半导体层和源漏电极，所述介电层为有机‑无机异质介电层；所述有机‑无机异质介电层是由下介电层和上介电层构成的双层结构，所述上介电层为聚酰胺酸层，所述下介电层为氧化铪层。本发明利用聚酰胺酸‑氧化铪异质介电层，得到了兼具存储性能和优异光电传感性能的高性能、低能耗的感存算一体的有机薄膜晶体管阵列，并将其用于可编程显示驱动中，对于有机感存算一体的神经形态视觉器件和显示驱动领域的发展与应用开拓了新途径。
本发明授权一种基于有机-无机异质介电层的感存算一体晶体管及其制备方法与在可编程显示驱动中的应用在权利要求书中公布了：1.一种基于有机-无机异质介电层的感存算一体晶体管，从下至上依次包括基底、介电层、有机小分子半导体层和源漏电极，其特征在于，所述介电层为有机-无机异质介电层； 所述有机-无机异质介电层是由下介电层和上介电层构成的双层结构，所述上介电层为聚酰胺酸层，所述下介电层为氧化铪层； 所述基底为硅基底，所述有机小分子半导体层为2,9-二癸基萘并[2,3B:2',3'F]噻吩并[3,2B]噻吩层，所述源漏电极为金源漏电极； 所述下介电层的厚度为15nm，所述上介电层的厚度为0～270nm，且不为0。
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