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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种芯片三维封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510234358.9，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种芯片三维封装方法是由邵文韬;叶冬冬;白宇飞;王卫设计研发完成，并于2025-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片三维封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体封装技术领域，特别涉及一种芯片三维封装方法。包括：步骤S1：制备12寸硅圆片；步骤S2：制备第一N层金属互连线；步骤S3：在第一N层金属互连线进行晶圆级临时键合；步骤S4：通过晶圆级减薄设备对硅圆片硅背进行减薄；步骤S5：进行5μm厚度铝键合指工艺开发；步骤S6：形成晶圆级多层再布线硅基板；步骤S7：对晶圆级多层再布线硅基板进行划片，形成定制化尺寸的芯粒集成基板；步骤S8：制备形成芯粒集成微模组；步骤S9：重构制备12寸晶圆；步骤S10：利用晶圆级树脂减薄设备对树脂面进行减薄；本发明提高了芯粒集成的密度，大幅度缩短了每个功能芯粒之间的金属互连，减小了发热、功耗、与延迟。

本发明授权一种芯片三维封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片三维封装方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1：在12寸硅衬底1上通过深硅刻蚀设备刻蚀多个盲孔2，进而制成12寸硅圆片，通过金属电镀工艺在所述盲孔2内进行金属化填充； 步骤S2：在金属化填充后的所述12寸硅圆片上制备第一N层金属互连线3； 步骤S3：在所述第一N层金属互连线3上通过全自动旋涂设备进行临时键合胶4涂布，在所述临时键合胶4上与硅载键合载板5进行晶圆级临时键合； 步骤S4：通过晶圆级减薄设备对所述12寸硅圆片的硅背进行减薄至距所述盲孔220μm～30μm后，通过深硅刻蚀设备进行干法刻蚀，直至露出所述盲孔2内的金属； 步骤S5：在露出所述盲孔2内的金属处进行5μm厚度的铝键合指工艺开发； 步骤S6：剥落所述临时键合胶4和所述硅载键合载板5，形成晶圆级多层再布线硅基板6； 步骤S7：通过晶圆级划片设备对所述晶圆级多层再布线硅基板6进行划片，形成定制化尺寸的芯粒集成基板7； 步骤S8：将带有含锡引出端的芯粒芯片8和树脂通孔芯片9与所述芯粒集成基板7进行焊接，制备形成芯粒集成微模组10； 步骤S9：将多颗所述芯粒集成微模组10平铺在12寸晶圆塑封模具中，利用晶圆级塑封设备向塑封模具中注入，重构制备12寸晶圆； 步骤S10：利用晶圆级树脂减薄设备对树脂面进行减薄，直至露出所述含锡引出端的芯粒芯片8和所述树脂通孔芯片9； 步骤S11：在所述12寸晶圆上制备第二N层金属互连线11，最终形成12寸晶圆级树脂嵌入式芯粒双面多层集成微模组12； 步骤S12：将多颗所述12寸晶圆级树脂嵌入式芯粒双面多层集成微模组12通过高精度对准设备，倒装到12寸芯粒集成树脂晶圆级上的焊盘13上，通过晶圆级回流设备进行焊接，最终制成面向芯粒三维集成的封装结构。

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