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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种互补型逆F类压控振荡器及其嵌套型压控振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120074382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510153747.9，技术领域涉及：H03B5/12；该发明授权一种互补型逆F类压控振荡器及其嵌套型压控振荡器是由舒一洋;赵子鉴;罗讯设计研发完成，并于2025-02-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种互补型逆F类压控振荡器及其嵌套型压控振荡器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种互补型逆F类压控振荡器及其嵌套型压控振荡器，主要解决现有振荡器占用面积较大或成本较高的问题。该振荡器由两个相同的有源核心A1、A2构成，每个有源核心内部包含一对互补的NMOS管、PMOS管，在NMOS管、PMOS管的漏极之间接有漏极电容CD，在NMOS管、PMOS管的栅极之间接有栅极电容CG，两个有源核心之间通过4个变压器实现相互连接。本发明所提出的互补型逆F类压控振荡器实现了在高频下的宽频覆盖、高性能和低相位噪声，通过利用基本单元进行电感嵌套，极大的减小了多核振荡器面积占用太大的问题，满足了芯片小尺寸低成本的要求，并且在宽频下具有良好的性能一致性。

本发明授权一种互补型逆F类压控振荡器及其嵌套型压控振荡器在权利要求书中公布了：1.一种互补型逆F类压控振荡器，其特征在于，由两个相同的有源核心A1、A2构成，每个有源核心内部包含一对互补的NMOS管、PMOS管，在NMOS管、PMOS管的漏极之间接有漏极电容CD，在NMOS管、PMOS管的栅极之间接有栅极电容CG，两个有源核心之间通过4个变压器实现相互连接；其中，4个变压器分别记为F1、F2、F3、F4，变压器F1的主绕组的同名端与有源核心A1中的PMOS管的漏极相连，变压器F1的副绕组的同名端与有源核心A1中的NMOS管的栅极相连；变压器F2的主绕组的同名端与有源核心A1中的NMOS管的漏极相连，变压器F2的副绕组的同名端与有源核心A1中的PMOS管的栅极相连；变压器F3的主绕组的同名端与有源核心A2中的PMOS管的漏极相连，变压器F3的副绕组的同名端与有源核心A2中的NMOS管的栅极相连；变压器F4的主绕组的同名端与有源核心A2中的NMOS管的漏极相连，变压器F4的副绕组的同名端与有源核心A2中的PMOS管的栅极相连；变压器F1的主绕组的异名端与变压器F4的主绕组的异名端相连，变压器F1的副绕组的异名端与变压器F4的副绕组的异名端相连，变压器F2的主绕组的异名端与变压器F3的主绕组的异名端相连，变压器F2的副绕组的异名端与变压器F3的副绕组的异名端相连；变压器F1的主绕组的异名端与副绕组的异名端之间连接有电容或电阻；变压器F2的主绕组的异名端与副绕组的异名端之间连接有电容或电阻；变压器F1的副绕组的异名端与变压器F2的副绕组的异名端之间连接有电容或电阻；有源核心A1中的PMOS管的源极和有源核心A2中的PMOS管的源极均接VDD；有源核心A1中的NMOS管的源极和有源核心A2中的NMOS管的源极均接地。

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