买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉深圳市朗帅科技有限公司;深圳市天宗元科技有限公司申请的专利一种碳化硅功率器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510507469.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅功率器件及其制造方法是由赵金跃;邓家榆;陈妮妮;孟祥辉;程江兰;王飞设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅功率器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，涉及半导体器件技术领域，漏极作为器件的底层；N型衬底设置在漏极上；N型漂移层设置在N型衬底上；第一电流扩展层在N型漂移层上；第二电流扩展层在第一电流扩展层上；第一P型井设置在第二电流扩展层上；第一P型源区和第一N型源区设置在第一P型井和源极之间；第一电流扩展层中设置有第二P型井、第二P型源区和第二N型源区；第二P型井包围第二P型源区和第二N型源区；源极形成向第一电流扩展层延伸的沟槽，栅极设置在沟槽中；栅极位于第二N型源区的上方。

本发明授权一种碳化硅功率器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：栅极、漏极、源极、N型衬底、N型漂移层、第一电流扩展层、第二电流扩展层、第一P型井、第一P型源区、第一N型源区、第二P型井、第二P型源区以及第二N型源区； 所述漏极作为器件的底层； 所述N型衬底设置在所述漏极上； 所述N型漂移层设置在所述N型衬底上； 所述第一电流扩展层在所述N型漂移层上； 所述第二电流扩展层在所述第一电流扩展层上； 所述第一P型井设置在所述第二电流扩展层上； 所述第一P型源区和所述第一N型源区设置在所述第一P型井和所述源极之间； 所述第一电流扩展层中设置有所述第二P型井、所述第二P型源区和所述第二N型源区； 所述第二P型井包围所述第二P型源区和所述第二N型源区； 所述源极形成向所述第一电流扩展层延伸的沟槽，所述栅极设置在所述沟槽中； 所述栅极位于所述第二N型源区的上方； 碳化硅功率器件还包括：第三P型源区和N型基础层； 所述第一N型源区设置在所述第一P型源区和所述第三P型源区之间，所述第三P型源区位于所述第一P型源区远离所述源极的一侧，所述第一P型源区位于所述第一P型源区远离所述栅极的一侧； 所述第一P型井、所述第三P型源区和所述第一N型源区之间设置所述N型基础层作为载流子传输路径，所述第一P型井、所述第三P型源区、所述第一N型源区和所述栅极形成PN结型栅极，通过所述PN结型栅极控制器件导通能力。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市朗帅科技有限公司;深圳市天宗元科技有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市罗湖区笋岗街道笋西社区笋岗东路3012号中民时代广场B30层3001单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。