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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种高介电常数的绝缘材料、晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510211340.7，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种高介电常数的绝缘材料、晶体管及其制备方法是由霍能杰;李学明;杨玉珏设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高介电常数的绝缘材料、晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高介电常数的绝缘材料、晶体管及其制备方法，其采用高纯度MoO3粉末，采用物理气相沉积工艺在SiO2Si衬底上生长MoO3薄层：将该MoO3粉末放置在氧化铝舟中；将衬底倒置于氧化铝舟上，随后将氧化铝舟放置于单温区管式炉的加热中心；将该管式炉抽真空，保持真空条件下加热至目标温度；达到目标温度后通入氩气保温一定时间；保温结束后关闭氩气，随炉自然冷却，获得直立于衬底上的MoO3薄层；该材料具有高介电常数、超薄等效氧化物厚度等特点，通过无聚合物转移方法获得了晶体管，保护了器件制造接触面的洁净度，极大提高了其电学性能，同时保持了材料的结构稳定性，该器件表现出了优良的转移特性。

本发明授权一种高介电常数的绝缘材料、晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用机械剥离工艺获得二维半导体材料薄层单晶胶带，使用PDMS粘着二维半导体材料薄层单晶胶带得到二维半导体材料薄层PDMS，将二维半导体材料薄层PDMS粘有二维半导体材料薄层的一面贴附于SiO2Si衬底的SiO2层的表面，撕掉PDMS层在SiO2Si衬底上获得二维半导体材料薄层； 在所述二维半导体材料薄层的两端制备第一电极和第二电极； 采用高纯度MoO3粉末，采用物理气相沉积工艺在SiO2Si衬底上生长MoO3薄层：将该MoO3粉末放置在氧化铝舟中；将所述衬底设置有SiO2层的一面朝向氧化铝舟放置于所述氧化铝舟上，随后将该氧化铝舟放置于单温区管式炉的加热中心；将该管式炉抽真空，保持真空条件下加热至目标温度，加热速率为35℃min，目标温度为740℃~790℃；达到目标温度后通入氩气，氩气气流为80~100sccm，保温0.25~0.4小时；保温结束后关闭氩气，随炉自然冷却，在所述衬底上获得具有层状结构直立于所述衬底上的MoO3薄层； 取上述制备获得的具有层状结构直立有MoO3薄层的所述衬底，采用无聚合物转移的方法，将MoO3薄层粘附在PDMS上获得MoO3PDMS； 将MoO3PDMS上粘有MoO3的一面朝向所述二维半导体材料薄层，贴附于所述二维半导体材料薄层上，撕掉PDMS后在所述二维半导体材料薄层上获得MoO3薄层； 采用PVA干法转移工艺，将第三电极转移至所述MoO3薄层上，随后将该衬底浸泡在去离子水中，在60~70℃下加热4小时，随后取出吹干。

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