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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120085135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510149036.4，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法是由吴燕庆;胡倩澜;童安宇设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法，属于半导体晶体管测试技术领域。本发明将非晶氧化物半导体晶体管器件划分为多个测试批次；将相同测试批次的器件分为HCD组和BTI组；所有器件进行HCD测试，不同测试批次的器件的测试条件不同，每个测试批次中HCD组施压阶段Vds0，而BTI组Vds＝0；提取每个测试条件施压后器件的电学参数绘制转移特性曲线，利用HCD组器件施压后的阈值电压变化量和BTI组器件施压后的阈值电压变化量，得到待测器件的热效应阈值电压变化量。本发明填补小尺寸非晶氧化物半导体器件的HCD效应量化评估方法的空白，为DRAM阵列电路设计提供了重要参考。

本发明授权一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法在权利要求书中公布了：1.一种非晶氧化物半导体晶体管HCD测试中热效应的解耦方法，其特征在于，具体包括如下步骤： 1选择多个同型号的非晶氧化物半导体晶体管作为待测器件，将待测器件划分为若干个测试批次，并将每个测试批次的器件分为HCD组和BTI组； 2对待测器件进行“施压-测量-施压-…-施压-测量”HCD测试，所述施压是分别在器件的源漏电极之间施加漏源电压Vds，在栅源电极之间施加栅源电压Vgs；其中，不同的测试批次的器件施加不同测试条件，所述测试条件包括温度、湿度、弯曲应力以及Vgs与Vds的峰值、频率和占空比；在每个测试批次中的所有器件的测试条件一致，只是HCD组施压阶段Vds0，而BTI组Vds=0； 3提取步骤2的待测器件的测试结果，根据每个测试条件施压后器件的电学参数绘制转移特性曲线，提取HCD组器件在施压后的阈值电压变化量和BTI组器件在施压后的阈值电压变化量，通过下列公式得到待测器件热效应导致的阈值电压变化量： 。

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