重庆邮电大学陈伟中获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091608B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510348018.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件是由陈伟中;秦嘉玲;严仪欣设计研发完成，并于2025-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件，属于半导体器件技术领域。该器件在栅极的多晶硅掺杂区和漏极N+区之间加入P‑pillar区形成了超结延伸栅，通过引入超结延伸栅，使得器件在正向导通情况下，栅极加正电压并将电压延伸至整个P‑pillar，器件在漂移区内靠近氧化层区域形成了电子积累区，从而降低了器件比导通电阻、提高了跨导；而在阻断耐压的情况下，器件漏极加高压，P‑pillar区和漂移区之间会产生相互耗尽的作用，共同调制优化MOSFET器件漂移区的电场分布，使器件得到较高的击穿电压BV，从而获得更高的器件优值，最终改善器件的静态性能。
本发明授权一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种具有电场和载流子调制的MOSFET器件，其特征在于，该器件包括源极P+区2、源极N+区3、P-well区4、漂移区5、第一漏极N+区6、多晶硅掺杂区9、P-pillar区10、氧化层11、第二漏极N+区12以及漏极P+区13； 所述漂移区5位于所述第一漏极N+区6表面，所述P-well区4位于所述漂移区5表面，所述源极P+区2和源极N+区3位于所述P-well区4表面；所述源极P+区2、源极N+区3、P-well区4、漂移区5和第一漏极N+区6均位于所述氧化层11的一侧； 所述第二漏极N+区12位于所述漏极P+区13表面，所述P-pillar区10位于所述第二漏极N+区12表面，所述多晶硅掺杂区9位于所述P-pillar区10表面；所述多晶硅掺杂区9、P-pillar区10、第二漏极N+区12和漏极P+区13均位于所述氧化层11的另一侧。
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