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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利静电保护结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120091632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311598438.X，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权静电保护结构及其形成方法是由安钰欣;石慧;袁俊设计研发完成，并于2023-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电保护结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种静电保护结构及其形成方法，结构包括：具有深N型阱区的衬底；第一隔离结构，位于PMOS区和NMOS区的深N型阱区中且相间隔；P型阱区和N型阱区，位于深N型阱区中，同一MOS区中，P型阱区与N型阱区相间隔，相邻MOS区的N型阱区与P型阱区相对设置；栅极结构，位于P型阱区上且靠近同一MOS区的N型阱区一侧；P型源区，位于PMOS区的P型阱区中且在栅极结构背向PMOS区的N型阱区一侧；P型漏区，位于PMOS区的N型阱区中；N型源区，位于NMOS区的P型阱区中且在栅极结构背向NMOS区的N型阱区一侧；N型漏区，位于NMOS区的N型阱区中。静电保护结构实现双向防护且形成可控硅器件，提高静电保护性能。

本发明授权静电保护结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种静电保护结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括相邻设置的PMOS区和NMOS区，所述PMOS区和NMOS区的衬底中形成有深N型阱区； 第一隔离结构，分别位于所述PMOS区和NMOS区的深N型阱区中，且间隔设置； P型阱区，分别位于所述PMOS区和NMOS区中，且位于所述第一隔离结构的第一侧的深N型阱区中，所述PMOS区和NMOS区中的P型阱区间隔设置； N型阱区，分别位于所述PMOS区和NMOS区中，且位于所述第一隔离结构的第二侧的深N型阱区中，在相邻设置的所述PMOS区和NMOS区中，所述PMOS区的N型阱区与所述NMOS区的P型阱区相对设置； 栅极结构，分别位于所述PMOS区和NMOS区的P型阱区上，且位于所述P型阱区靠近同一MOS区的N型阱区的一侧； P型源区，位于所述PMOS区的P型阱区中，且位于所述栅极结构背向PMOS区的N型阱区的一侧； P型漏区，位于所述PMOS区的N型阱区中； N型源区，位于所述NMOS区的P型阱区中，且位于所述栅极结构背向NMOS区的N型阱区的一侧； N型漏区，位于所述NMOS区的N型阱区中。

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