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北京超弦存储器研究院朱正勇获国家专利权

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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120108451B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311667901.1,技术领域涉及:G11C11/402;该发明授权存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法是由朱正勇;康卜文;赵超设计研发完成,并于2023-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法在说明书摘要公布了:一种存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法,存储单元包括:写入晶体管,包括第一电极、第二电极和第一栅电极;读取晶体管,包括第三电极、第四电极和第二栅电极;开关晶体管,包括第五电极、第六电极和第三栅电极;存储节点;其中,第四电极与第二电极连接;第一电极与存储节点连接,第一栅电极与写字线连接;第三电极与第一位线连接,第二栅电极与存储节点连接;第五电极与第四电极和第二电极连接,第六电极与第二位线连接,第三栅电极与读字线连接;写入晶体管用于控制存储数据写入存储节点,读取晶体管用于控制存储数据的读取。本申请实施例的存储单元便于实现读写操作,而且结构简单,容易制造,占用面积较小。

本发明授权存储单元、存储器、电子设备和数据读写方法在权利要求书中公布了:1.一种存储单元,其特征在于,包括: 写入晶体管,包括第一电极、第二电极和第一栅电极; 读取晶体管,包括第三电极、第四电极和第二栅电极; 开关晶体管,包括第五电极、第六电极和第三栅电极; 存储节点; 其中,所述第四电极与所述第二电极连接; 所述第一电极与所述存储节点连接,所述第一栅电极与写字线连接; 所述第三电极与第一位线连接,所述第二栅电极与所述存储节点连接; 所述第五电极与所述第四电极和所述第二电极连接,所述第六电极与第二位线连接,所述第三栅电极与读字线连接; 所述写入晶体管用于控制存储数据写入所述存储节点,所述读取晶体管用于控制存储数据的读取。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京超弦存储器研究院,其通讯地址为:100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十街18号院11号楼四层401室;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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