中芯国际集成电路制造(上海)有限公司张文斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120129244B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311689203.1，技术领域涉及：H10B41/60；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张文斌;钟怡;陈乐设计研发完成，并于2023-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构中，过渡部的倾斜侧壁和第三区域中掺杂区的顶部构成外凸的转角，浮置栅极包围外凸的转角中的掺杂区，在半导体结构进行写入操作时，依据尖端放电的原理，外凸转角中尖端区域的掺杂区和浮置栅极之间的电场强度较大，掺杂区中的电子易于进入浮置栅极中，有利于提高半导体结构的写入性能。过渡部的倾斜侧壁和第一区域中掺杂区的顶部呈内凹的转角，掺杂区包围内凹转角中的浮置栅极，在半导体结构进行擦除操作时，依据尖端放电的原理，内凹转角中尖端区域的浮置栅极和掺杂区之间的电场强度较大，浮置栅极中的电子易于进入掺杂区中，有利于提高半导体结构的擦除性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底； 对所述基底的部分区域进行掺杂，形成掺杂区，所述掺杂区包括依次排布的第一区域、第二区域以及第三区域； 对所述第一区域和第二区域的掺杂区进行减薄处理，使减薄后的所述掺杂区整体呈阶梯状，其中，减薄后的所述第一区域中掺杂区的顶部低于所述第三区域中掺杂区的顶部，所述第二区域中掺杂区被刻蚀成具有倾斜侧壁的过渡部，且所述过渡部的倾斜侧壁的底端和所述第一区域的掺杂区顶部连接，所述过渡部的倾斜侧壁的顶端和所述第三区域的掺杂区顶部连接；进行所述减薄处理后，形成保形覆盖所述掺杂区的堆叠栅极，所述堆叠栅极包括：浮置栅极、位于所述浮置栅极上的栅间介电层以及位于所述栅间介电层上的控制栅极。
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