中国科学院上海技术物理研究所赵天歌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种铋氧碲纳米片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120138597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510325207.4，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权一种铋氧碲纳米片的制备方法是由赵天歌;段世杰;胡伟达;王振;许航瑀;康乾龙;王鹏;卓笑设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铋氧碲纳米片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于低维材料制备技术领域，具体涉及一种Bi2O2Te纳米片的制备方法。本发明采用化学气相沉积的方法，以Bi2Te3作为前驱体，将基底置于所述前驱体的上方，在通入载气的条件下加热所述前驱体进行反应，所述载气包括氧气和惰性气体，所述加热的温度为550～660℃，在所述基底表面生长得到所述Bi2O2Te纳米片。本发明提供的方法制备得到的Bi2O2Te纳米片生长均匀性和结晶质量显著提高，且能够得到尺寸更大的单晶纳米片材，显著提高了Bi2O2Te纳米片的电学和热学性能；同时，本发明生长温度低，减少能耗和设备损耗，更适宜工业化应用。
本发明授权一种铋氧碲纳米片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Bi2O2Te纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用化学气相沉积的方法，以Bi2Te3作为前驱体，将基底置于所述前驱体的上方，在通入载气的条件下加热所述前驱体进行反应，所述载气的流速为50sccm，所述载气包括氧气和惰性气体，所述载气中氧气的体积含量为0.1％，所述加热的温度为600℃，生长的时间为5min，在所述基底表面生长得到所述Bi2O2Te纳米片，所述Bi2O2Te纳米片为单晶纳米片，所述Bi2O2Te纳米片的形貌为四边形形态，所述Bi2O2Te纳米片的横向尺寸为235μm。
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