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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于PVT法的气相输运优化装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120138789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510486134.7，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种基于PVT法的气相输运优化装置是由刘立军;裴骏红;翁杰弟;刘思敏;朱震霖设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于PVT法的气相输运优化装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于PVT法的气相输运优化装置，装置包括坩埚，坩埚内用于容纳原料形成原料区，且顶部设置有籽晶，坩埚的外周设置有加热器；以及设置在坩埚内的：至少一级输运机构，多级输运机构沿坩埚的径向间隔设置；其中，每级输运机构自坩埚的底部向顶部的方向延伸设置，输运机构内开设有输运通道，输运通道用于促使原料升华形成的气相物质从原料区向原料区的表面传输；以及，输运机构靠近坩埚的顶部的延伸终端位于原料区的表面之上，以利用输运通道促使气相物质从原料区的表面逸出。通过本发明提供的装置，解决了传统PVT法生长单晶过程中气相物质在原料区输运困难，同时在原料区的表面再结晶使自身逸出受阻碍的问题。

本发明授权一种基于PVT法的气相输运优化装置在权利要求书中公布了：1.一种基于PVT法的气相输运优化装置，其特征在于，装置包括： 坩埚，所述坩埚内用于容纳原料形成原料区，且顶部设置有籽晶，所述坩埚的外周设置有加热器；以及设置在所述坩埚内的： 至少一级输运机构，多级所述输运机构沿所述坩埚的径向间隔设置； 其中，每级所述输运机构自所述坩埚的底部向顶部的方向延伸设置，所述输运机构内开设有输运通道，所述输运通道用于促使所述原料升华形成的气相物质从所述原料区向原料区的表面传输；以及， 所述输运机构靠近所述坩埚的顶部的延伸终端位于原料区的表面之上，以利用所述输运通道促使所述气相物质从原料区的表面逸出； 每级所述输运机构包括：多个输运单体，多个所述输运单体沿所述坩埚的周向间隔设置，且每个所述输运单体内均设置有输运通道；且相邻两级的所述输运机构中的多个所述输运单体在径向方向上错开设置； 至少一级导流机构，每级所述导流机构对应设置在每级所述输运机构的延伸终端上，且在所述坩埚的轴向方向上朝所述籽晶的方向倾斜，以引导所述气相物质从原料区的表面向籽晶区运输； 其中，每级所述导流机构包括：多个导流板，每个所述导流板设置在每个输运单体上，所述导流板通过铰接结构活动设置在所述输运单体上，以调节所述导流板的倾斜角度。

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