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龙图腾网获悉西安电子科技大学;西安电子科技大学广州研究院申请的专利一种GaN HEMT器件多噪声源等效电路拓扑结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120145971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510211996.9，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种GaN HEMT器件多噪声源等效电路拓扑结构是由刘志宏;胡友;董高峰;沈季乾;邢伟川;张进成设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT器件多噪声源等效电路拓扑结构在说明书摘要公布了：本发明公开了GaNHEMT器件多噪声源电路拓扑结构，由于高频条件工作下，器件元件的分布效应的影响，GaNHEMT器件噪声源不能用简单集总噪声源表征，因此，GaNHEMT器件的栅极、漏极以及内部噪声源都为多个。其中寄生电感和电容无噪声元件，寄生部分的噪声源主要是寄生电阻的热源噪声和无噪声二端口网络在栅极节点和源极节点处的等效噪声源和不再简单抽象为单个噪声源，而使用多个噪声源来代替。该多噪声等效电路模型能够表征高频工作条件下GaNHEMT器件的噪声，由于该模型表征器件的分布效应，所以模型的参数更加准确同时具有一定的物理意义，能更好地指导器件工艺设计和电路设计。

本发明授权一种GaN HEMT器件多噪声源等效电路拓扑结构在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT器件多噪声源等效电路模型，其特征在于，包括一个单元五和数量均为n个的单元一、单元二、单元三及单元四；所述单元一由电阻Rg和电感Lg串联组成，所述单元二由电阻Rd和电感Ld串联组成，所述单元三由电容Cgs和电阻Rgs串联组成，所述单元四由电容Cds和电阻Rds并联组成；所述单元五由电感Ls和电阻Rs串联组成； 各单元一组成串联结构一，各单元二组成串联结构二，串联结构一的一端与所述GaNHEMT器件的栅极G连接，串联结构二的一端与所述GaNHEMT器件的漏极D连接，所述GaNHEMT器件的源极S连接所述单元五的一端； 各单元一远离栅极G的一端分别通过一个单元三、各单元二远离漏极D的一端分别通过一个单元四，均连接所述单元五的另一端； 各单元一远离栅极G的一端以及所述串联结构二的另一端，均接电流源Ids的一端，电流源Ids的另一端连接所述单元五的另一端； 各单元一中，每个电阻Rg分别并联一个栅极寄生电阻热噪声源，各单元二中，每个电阻Rd分别并联一个漏极寄生电阻热噪声源，各单元三分别并联一个本征栅极节点等效噪声源，各单元四中，每个电阻Rds分别并联一个本征漏极节点等效噪声源，所述单元五中，电阻Rs并联源极寄生电阻热噪声源。

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